| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-17页 |
| ·研究的背景和意义 | 第11-14页 |
| ·论文的结构安排 | 第14-15页 |
| 参考文献 | 第15-17页 |
| 第二章 晶片键合技术综述 | 第17-31页 |
| ·引言 | 第17-19页 |
| ·晶片键合技术的工艺过程 | 第19-20页 |
| ·晶片键合质量的影响因素 | 第20-23页 |
| ·晶片键合技术的主要应用 | 第23-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 参考文献 | 第27-31页 |
| 第三章 晶片键合技术的理论研究 | 第31-57页 |
| ·键合晶片表面特性条件 | 第31-34页 |
| ·键合晶片热应力分布 | 第34-42页 |
| ·键合位错 | 第42-43页 |
| ·键合晶片的伏安特性的理论分析 | 第43-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-57页 |
| 第四章 晶片键合技术的实验研究 | 第57-73页 |
| ·SI/INP晶片键合 | 第57-63页 |
| ·键合步骤 | 第57页 |
| ·性能测试 | 第57-63页 |
| ·GAAS/INP晶片键合 | 第63-67页 |
| ·键合步骤 | 第63页 |
| ·性能测试 | 第63-67页 |
| ·SI/SI晶片键合 | 第67-70页 |
| ·键合步骤 | 第68页 |
| ·性能测试 | 第68-70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-73页 |
| 第五章 雪崩光电探测器综述 | 第73-88页 |
| ·雪崩光电二极管的发展 | 第75-80页 |
| ·APD光探测器常用半导体材料 | 第75-76页 |
| ·APD光探测器常用结构 | 第76-80页 |
| ·APD光探测器的主要性能指标 | 第80-85页 |
| ·光电转换效率 | 第80-81页 |
| ·响应速度 | 第81页 |
| ·耗尽区电场强度 | 第81-82页 |
| ·雪崩倍增因子 | 第82-84页 |
| ·APD的过剩噪声 | 第84-85页 |
| ·暗电流 | 第85页 |
| ·本章小结 | 第85-86页 |
| 参考文献 | 第86-88页 |
| 第六章 SI/INGAAS雪崩光电探测器的理论模拟 | 第88-114页 |
| ·S1/INGAAS SAM雪崩光电探测器频响特性模拟 | 第89-109页 |
| ·分层结构算法理论基础 | 第90-97页 |
| ·Si/InGaAs SAM APD频率响应特性理论分析 | 第97-100页 |
| ·Si/InGaAs SAM APD频率响应特性模拟 | 第100-109页 |
| ·SI/INGAAs SAM雪崩光电探测器电场分布及器件开启电压 | 第109-112页 |
| ·Si/InGaAs SAM APD耗尽层电场分布理论模型 | 第109-110页 |
| ·Si/InGaAs SAM APD耗尽层电场分布分析 | 第110-112页 |
| ·本章小结 | 第112-113页 |
| 参考文献 | 第113-114页 |
| 第七章 SI基长波长雪崩光电探测器的制备与测试 | 第114-122页 |
| ·SI基长波长雪崩光电探测器的制备 | 第114-117页 |
| ·器件外延层设计 | 第114-115页 |
| ·器件的制备 | 第115-117页 |
| ·SI基长波长雪崩光电探测器的测试 | 第117-120页 |
| ·小结 | 第120-121页 |
| 参考文献 | 第121-122页 |
| 致谢 | 第122-124页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文和申请专利 | 第124页 |
