SiO2/SiC界面氮氢等离子体处理及电学特性研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-17页 |
| ·课题研究背景及意义 | 第8-11页 |
| ·SiO_2/SiC界面国内外研究状况 | 第11-15页 |
| ·研究思想及研究内容 | 第15-17页 |
| 2 SiO_2/SiC界面电子学及其评价方法 | 第17-28页 |
| ·MOS系统的电荷和陷阱 | 第17-19页 |
| ·界面陷阱电荷(Q_(it)) | 第17-18页 |
| ·固定氧化物电荷(Q_f) | 第18-19页 |
| ·氧化物陷阱电荷(Q_(ot)) | 第19页 |
| ·可动氧化物电荷(Q_m) | 第19页 |
| ·SiO_2/SiC系统界面态起源 | 第19-21页 |
| ·悬挂键 | 第19-20页 |
| ·近界面陷阱(NITs) | 第20-21页 |
| ·SiO_2/SiC界面处的碳团簇 | 第21页 |
| ·界面态测试方法及影响因素 | 第21-28页 |
| ·高频(Terman)C-V测试 | 第21-24页 |
| ·高频-准静态(Hi-Lo)C-V测试 | 第24-26页 |
| ·界面态响应时间对测试的影响 | 第26-28页 |
| 3 SiC MOS电容工艺 | 第28-37页 |
| ·衬底预处理 | 第28-29页 |
| ·氧化机理及工艺设计 | 第29-31页 |
| ·SiC热氧化机理研究 | 第29-30页 |
| ·SiC氧化温度及速率研究 | 第30页 |
| ·氧化工艺设计 | 第30-31页 |
| ·等离子体处理工艺 | 第31-36页 |
| ·等离子体系统装置 | 第31-36页 |
| ·处理条件设置 | 第36页 |
| ·电极制作工艺 | 第36-37页 |
| 4 SiC MOS电容电流-电压特性分析 | 第37-45页 |
| ·基本原理 | 第37-39页 |
| ·I-V测试及数据解析 | 第39-42页 |
| ·I-V测试电路及氧化物失效模式 | 第39-41页 |
| ·I-V数据解析 | 第41-42页 |
| ·氧化膜特性及结果分析 | 第42-43页 |
| ·MOS电容背电极的I-V特性 | 第43-45页 |
| 5 SiC MOS结构界面特性分析 | 第45-60页 |
| ·SiC MOS电容-电压特性 | 第45-52页 |
| ·SiC中杂质的离化效应 | 第45-48页 |
| ·SiC MOS的电容-电压特性 | 第48-51页 |
| ·SiC MOS电容的平带电压 | 第51-52页 |
| ·C-V测试分析 | 第52-55页 |
| ·SiC MOS界面特性评价 | 第55-60页 |
| 结论 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
