当前位置：
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
反向开关晶体管特性仿真及结构优化设计
快恢复二极管及缓冲层结构特性研究
热释电复合材料极化工艺研究
基于硅光电二极管的荧光检测电路设计
基于电子快门自动增益的CCD驱动电路研究
大功率LED灯具主动散热装置研究
用于油墨固化的紫外LED光源封装技术研究
LED芯片分拣机高速运动部件设计与实现
紫外厚胶深光刻技术研究
晶闸管在脉冲功率电源中的应用研究
图形化衬底LED芯片的技术研究
无掩模光刻系统研究
PTCDA/p-Si光电探测器的研制与性能研究
稀释磁性半导体研究
纳米金刚石薄膜的制备与掺硼研究
ZnO：Al透明导电薄膜的制备及性能研究
动态分形数字掩模技术制作微透镜及其阵列的研究
基于宽禁带半导体4H-SiC的功率IGBT模型及特性研究
化学气相沉积（CVD）生长高质量的石墨烯及其性能的研究
微晶硅薄膜的PECVD制备及性能研究
压电声波谐振器电路参数计算分析
考虑复杂因素的石英晶体谐振器并行有限元分析
数字光刻控制系统的研究与设计
数字光刻制作微光学器件的评价研究
投影光刻系统套刻对准技术的研究
半导体材料低温无磨料超光滑表面抛光分析的研究
PECVD制备玻璃态SiO2薄膜技术研究
氟化钙晶体化学机械抛光工艺研究
高功率器件高效散热的技术研究
考虑源漏电场的准二维MOSFET阈值电压模型
基于LDMOS电容特性的研究及其器件建模
薄膜双栅MOSFET电流模型及其温度效应的研究
掺纳米半导体材料放大光纤的研究及超宽带信号在定位传感器系统中的应用
ZnO薄膜的制备表征、高温原位研究及毛细管聚焦研究
硅基微纳光电子器件的研究
Ⅲ-Ⅴ族含B、N半导体材料与GaAs纳米线的特性研究
射频LDMOS功率器件的制备、内匹配与测试技术研究
增强多指SiGe HBT热学性能的Ge组分分布设计和变指间距技术研究
硅基材料的制备、表征及其储锂性能研究
溶液加工光电材料的合成及其性能研究
基于传输矩阵法的聚合物发光二极管出光率分析
基于DSP的CCD降噪电路设计和算法研究
LED Molding机整机控制系统结构研究
CCD摄像机的设计及若干关键技术的研究
基于水冷的LED阵列散热研究
原电池法制备硅纳米线的研究
具载流子传输特性的高效电致磷光芳香膦氧主体的设计合成
纳米硅薄膜晶体管制作及特性研究
纳米硅薄膜晶体管磁传感器研究
ZnO薄膜的制备及光电特性研究
上一页
[131]
[132]
[133]
[134]
[135]
下一页
