石墨烯的常压CVD法制备工艺参数研究及其在激光器调Q中的应用

摘要	第1-4页
Abstract	第4-5页
目录	第5-7页
第一章 绪论	第7-19页
·引言	第7-9页
·石墨烯概述	第9-17页
·石墨烯的结构	第9-10页
·石墨烯的性能	第10-12页
·石墨烯的应用	第12-15页
·石墨烯的制备方法简介	第15-17页
·本论文选题的目的和意义	第17-19页
第二章 实验与表征	第19-24页
·实验材料及仪器设备	第19-20页
·实验材料与药品	第19页
·实验设备与仪器	第19-20页
·石墨烯薄膜的常压CVD法制备工艺	第20-21页
·石墨烯薄膜的转移工艺	第21页
·石墨烯作为可饱和吸收体的应用	第21-22页
·材料结构的表征手段	第22页
·本章小结	第22-24页
第三章 常压CVD法制备石墨烯的工艺参数研究	第24-35页
·铜箔处理过程中H_2/Ar流速的影响	第24-26页
·生长过程中的H_2/Ar流速的影响	第26-27页
·生长温度的影响	第27-28页
·生长时间的影响	第28-29页
·最佳工艺参数样品的表征研究	第29-32页
·石墨烯薄膜的方块电阻测试	第32-33页
·本章小结	第33-35页
第四章 石墨烯在激光器调Q中的应用	第35-45页
·可饱和吸收理论	第35-37页
·几类可饱和吸收材料的饱和吸收机理	第37-42页
·石墨烯在激光器调Q中的应用	第42-43页
·本章小结	第43-45页
第五章 总结与展望	第45-48页
·总结	第45-46页
·展望	第46-48页
参考文献	第48-53页
攻读硕士学位期间取得的学术成果	第53-54页
致谢	第54页