| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| ·GaN 的结构和性质 | 第10-13页 |
| ·晶体结构 | 第10-12页 |
| ·基本性质 | 第12-13页 |
| ·GaN 纳米材料研究概况 | 第13-16页 |
| ·纳米材料简介 | 第13-14页 |
| ·GaN 纳米材料的研究进展 | 第14-15页 |
| ·衬底的选择 | 第15-16页 |
| ·GaN 材料的合成方法 | 第16页 |
| ·GaN 材料的应用 | 第16-18页 |
| ·本论文的选题依据 | 第18-20页 |
| 第二章 实验设备及测试方法简介 | 第20-24页 |
| ·实验设备 | 第20页 |
| ·实验材料 | 第20-21页 |
| ·实验过程 | 第21页 |
| ·样品测试与表征 | 第21-24页 |
| 第三章 CVD 法制备 GaN 纳米线的研究 | 第24-42页 |
| ·蒸发源为 Ga:CaF_2=1:2 时 GaN 纳米线的制备 | 第24-33页 |
| ·最佳实验条件的确定 | 第25-29页 |
| ·一维 GaN 纳米线的合成与表征 | 第29-33页 |
| ·蒸发源为 Ga:Ga_2O_3:CaF_2=1:1:2 时 GaN 纳米线的制备 | 第33-42页 |
| ·形貌分析 | 第33-34页 |
| ·结构分析 | 第34-35页 |
| ·成分分析 | 第35-38页 |
| ·高分辨透射电子显微镜(HRTEM)分析 | 第38页 |
| ·拉曼(Raman)振动特性分析 | 第38-40页 |
| ·发光特性分析 | 第40-42页 |
| 第四章 CVD 法制备团簇生长的β-Ga_2O_3纳米棒的研究 | 第42-48页 |
| ·形貌观察 | 第42-43页 |
| ·结构及成分分析 | 第43-45页 |
| ·振动及发光特性分析 | 第45-48页 |
| 第五章 结论 | 第48-50页 |
| ·本论文主要内容 | 第48-49页 |
| ·对今后工作的建议 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-58页 |
| 发表论文 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
