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单晶硅片超精密磨削减薄技术试验研究

摘要第1-5页
Abstract第5-10页
1 绪论第10-24页
   ·论文的选题背景第10-19页
     ·本文的研究目的与意义第10-11页
     ·单晶硅的物理性质第11-16页
     ·硅片背面减薄技术概述第16-19页
   ·国内外研究现状第19-23页
     ·超精密磨削的工艺规律及硅片表面损伤的研究第19-20页
     ·新型超精密磨床及砂轮的研究与开发第20-21页
     ·超精密磨削减薄工艺技术的研究第21-23页
   ·本课题的来源与研究内容第23-24页
     ·课题来源第23页
     ·研究内容第23-24页
2 硅片磨削表面损伤层深度的大小和分布第24-36页
   ·硅片磨削表面的损伤形式和微观结构第24-27页
     ·硅片磨削表面的损伤形式第24-26页
     ·硅片表面损伤的微观结构第26-27页
   ·硅片磨削表面损伤层的大小和分布第27-35页
     ·试验方案第27-31页
     ·结果与讨论第31-35页
   ·本章小结第35-36页
3 硅片挠曲变形问题的研究第36-55页
   ·硅片挠曲变形的产生原因第36-39页
     ·硅片表面的残余应力第36-38页
     ·硅片的总厚度偏差 TTV第38-39页
   ·硅片挠曲变形的形式与分析第39-42页
     ·弯曲度与翘曲度的概念第39-40页
     ·硅片挠曲变形的形式第40-42页
   ·硅片小变形下的数学模型第42-47页
     ·Stoney公式及其证明第42-44页
     ·硅片厚度与弯曲度的数学关系第44-46页
     ·金刚石砂轮磨削减薄硅片的最佳极限厚度第46-47页
   ·硅片弯曲变形的试验研究第47-54页
     ·试验方案与检测方法第47-51页
     ·硅片弯曲变形数学模型的试验验证第51-54页
   ·本章小结第54-55页
4 硅片磨削崩边现象的试验研究第55-73页
   ·崩边的产生与原因分析第56-57页
     ·逆磨和顺磨第56-57页
     ·崩边原因分析第57页
   ·试验方案与崩边大小的评价方法第57-60页
     ·试验方案第57-59页
     ·崩边的大小的定量评价第59-60页
   ·试验结果与分析第60-72页
     ·不同晶向处的崩边形状第60-62页
     ·硅片崩边的临界厚度第62-63页
     ·逆磨与顺磨的崩边试验结果第63-64页
     ·进给率对崩边大小的影响第64-65页
     ·崩边大小沿晶向的单因素分析第65-67页
     ·逆磨与顺磨的磨削质量比较第67-72页
   ·本章小结第72-73页
5 硅片的超精密磨削减薄试验第73-96页
   ·超薄硅片真空吸盘和软磨料砂轮修磨盘的设计第73-79页
     ·超薄硅片真空吸盘的设计第73-76页
     ·软磨料砂轮修磨盘的设计第76-79页
   ·硅片磨削减薄的初步试验第79-83页
     ·硅片超精密磨床的分步磨削第79-80页
     ·贴背膜硅片的减薄试验第80-82页
     ·无背膜硅片的减薄试验第82-83页
   ·精磨阶段表面粗糙度正交试验第83-87页
     ·试验方案第84-85页
     ·结果分析第85-87页
   ·硅片磨削减薄的优化工艺路线第87-91页
     ·金刚石砂轮的磨削原理第87-89页
     ·软磨料砂轮的磨削原理第89-91页
     ·优化工艺路线第91页
   ·应用优化工艺路线的磨削减薄试验第91-95页
     ·试验方案第91-92页
     ·试验结果第92-95页
   ·本章小结第95-96页
结论第96-98页
参考文献第98-101页
攻读硕士学位期间发表学术论文情况第101-102页
致谢第102-103页

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