| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 目录 | 第10-12页 |
| 第一章 引言 | 第12-36页 |
| ·ZnO材料的基本性质 | 第14-16页 |
| ·ZnO基薄膜材料及器件的研究热点及其进展 | 第16-34页 |
| ·高质量ZnO薄膜的研究进展 | 第17-18页 |
| ·ZnO材料p型掺杂研究进展 | 第18-26页 |
| ·ZnO基光电子器件的研究进展 | 第26-34页 |
| ·论文的选题依据和研究内容 | 第34-36页 |
| 第二章 ZnO薄膜的制备技术与表征方法 | 第36-56页 |
| ·等离子体辅助分子束外延技术 | 第36-44页 |
| ·分子束外延技术(MBE) | 第37-42页 |
| ·等离子体辅助分子束外延技术(P-MBE) | 第42-44页 |
| ·ZnO薄膜性能表征方法 | 第44-53页 |
| ·X射线衍射 | 第44-47页 |
| ·霍尔效应测试 | 第47-48页 |
| ·光致荧光谱测试 | 第48-49页 |
| ·拉曼光谱 | 第49-51页 |
| ·X射线光电子能谱 | 第51-52页 |
| ·紫外-可见吸收光谱测试 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-56页 |
| 第三章 N掺杂p型ZnO薄膜的制备及光电特性研究 | 第56-72页 |
| ·研究背景 | 第56-57页 |
| ·实验条件和测试方法 | 第57-59页 |
| ·通过NO制备N掺杂p型ZnO | 第59-66页 |
| ·改变Zn源温度制备p型ZnO | 第59-61页 |
| ·改变NO流量制备N掺杂p型ZnO及表征 | 第61-66页 |
| ·射频离化BN辅助制备N掺杂p型ZnO | 第66-70页 |
| ·本章小结 | 第70-72页 |
| 第四章 氮掺杂ZnO中重要的受主补偿源：(CN)_o | 第72-82页 |
| ·研究背景 | 第72-73页 |
| ·实验条件和测试方法 | 第73页 |
| ·N掺杂ZnO中重要的受主补偿源：(CN)_o | 第73-80页 |
| ·本章小结 | 第80-82页 |
| 第五章 压应力对N掺杂p型ZnO薄膜稳定性的影响 | 第82-94页 |
| ·研究背景 | 第82-83页 |
| ·实验条件与测试方法 | 第83页 |
| ·面内压应力对N掺杂p型ZnO电学稳定性的影响 | 第83-92页 |
| ·a面和c面蓝宝石衬底与ZnO晶面的对应关系 | 第83-87页 |
| ·N掺杂p型ZnO电学稳定性与分析 | 第87-92页 |
| ·本章小结 | 第92-94页 |
| 第六章 结论与展望 | 第94-96页 |
| ·全文总结 | 第94-95页 |
| ·研究展望 | 第95-96页 |
| 参考文献 | 第96-110页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第110-111页 |
| 指导教师及作者简介 | 第111-112页 |
| 致谢 | 第112页 |