论文摘要 | 第1-8页 |
ABSTRACT | 第8-12页 |
第一章 绪论 | 第12-28页 |
·研究背景 | 第12-16页 |
·集成电路设计与EDA具 | 第16页 |
·MOSFET模型分类 | 第16-18页 |
·常用MOSFET模型 | 第18-21页 |
·论文的研究内容与组织结构 | 第21-22页 |
·论文主要贡献 | 第22-24页 |
参考文献 | 第24-28页 |
第二章 基于电磁仿真的射频MOSFET测试结构分析 | 第28-46页 |
·研究背景 | 第28-29页 |
·测试结构 | 第29-32页 |
·寄生参数提取方法 | 第32-35页 |
·电磁仿真分析 | 第35-37页 |
·参数提取与讨论 | 第37-40页 |
·测试结果与仿真结果对比 | 第40-44页 |
参考文献 | 第44-46页 |
第三章 射频微波MOSFET小信号等效电路模型和参数提取技术 | 第46-75页 |
·研究背景 | 第46-47页 |
·射频微波MOSFET去嵌技术 | 第47-52页 |
·射频微波MOSFET寄生效应 | 第52-55页 |
·射频微波MOSFET小信号等效电路模型与参数提取 | 第55-61页 |
·参数提取结果与比例模型 | 第61-66页 |
·仿真与测量结果验证 | 第66-69页 |
参考文献 | 第69-75页 |
第四章 射频微波MOSFET非线性等效电路模型建模技术 | 第75-96页 |
·研究背景 | 第75页 |
·基于STATZ模型的RF MOSFET直流建模技术 | 第75-83页 |
·BSIM3v3直流模型参数提取 | 第83-87页 |
·射频MOSFET大信号模型与参数提取 | 第87-93页 |
参考文献 | 第93-96页 |
第五章 射频微波在片自动测试系统搭建 | 第96-129页 |
·研究背景 | 第96页 |
·散射参数(S参数)矩阵 | 第96-98页 |
·矢量网络分析仪 | 第98-102页 |
·40GHz S参数在片自动测试系统 | 第102-117页 |
·基于IC-CAP的在片测试过程 | 第117-127页 |
参考文献 | 第127-129页 |
第六章 总结与展望 | 第129-131页 |
·作总结 | 第129-130页 |
·未来展望 | 第130-131页 |
英文名词缩写 | 第131-133页 |
个人简介 | 第133-134页 |
发表论文目录 | 第134-136页 |
致谢 | 第136页 |