碳化硅超声—电化学抛光仿真与研抛实验研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 课题的来源及研究的背景和意义 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究现状分析 | 第11-17页 |
| 1.2.1 碳化硅研抛加工研究现状 | 第11-14页 |
| 1.2.2 超声辅助抛光研究现状 | 第14-15页 |
| 1.2.3 电化学抛光研究现状分析 | 第15-16页 |
| 1.2.4 超声波—电化学抛光研究现状分析 | 第16-17页 |
| 1.3 课题主要研究内容 | 第17-19页 |
| 第2章 研抛流场CFD仿真分析 | 第19-38页 |
| 2.1 超声振动对流体特性的影响 | 第19-28页 |
| 2.1.1 模型的建立 | 第19-20页 |
| 2.1.2 超声振动对流场速度的影响 | 第20-22页 |
| 2.1.3 超声振动对压力的影响 | 第22-26页 |
| 2.1.4 超声振动对气相分布的影响 | 第26-28页 |
| 2.2 膜厚对流体特性的影响 | 第28-33页 |
| 2.2.1 接触模型的建立 | 第28-29页 |
| 2.2.2 膜厚对流场速度的影响 | 第29-30页 |
| 2.2.3 膜厚对流场压力的影响 | 第30-31页 |
| 2.2.4 膜厚对气相分布的影响 | 第31-33页 |
| 2.3 抛光垫小孔对流体特性的影响 | 第33-37页 |
| 2.3.1 带孔模型的建立 | 第33页 |
| 2.3.2 小孔对流场速度的影响 | 第33-35页 |
| 2.3.3 小孔对流场压力的影响 | 第35-36页 |
| 2.3.4 小孔对气相分布的影响 | 第36-37页 |
| 2.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第3章 研抛过程电场仿真分析 | 第38-51页 |
| 3.1 仿真模型建立 | 第38-39页 |
| 3.1.1 几何模型的建立 | 第38页 |
| 3.1.2 求解参数的确定 | 第38-39页 |
| 3.2 电场基本分布规律 | 第39-43页 |
| 3.2.1 电压分布 | 第39-41页 |
| 3.2.2 电流密度分布 | 第41-43页 |
| 3.3 研磨液电导率对研抛表面电场的影响 | 第43-45页 |
| 3.3.1 电导率对电压分布的影响 | 第43-44页 |
| 3.3.2 电导率对电流密度的影响 | 第44-45页 |
| 3.4 流体膜厚度对研抛表面电场分布的影响 | 第45-48页 |
| 3.4.1 流体膜厚度对电压分布的影响 | 第46-47页 |
| 3.4.2 流体膜厚对电流密度的影响 | 第47-48页 |
| 3.5 试件材料对研抛表面电场分布的影响 | 第48-50页 |
| 3.5.1 不同材料研抛表面的电压分布 | 第48-49页 |
| 3.5.2 不同材料研抛表面的电流分布 | 第49-50页 |
| 3.6 本章小结 | 第50-51页 |
| 第4章 实验系统与数据采集设计 | 第51-63页 |
| 4.1 实验机原理设计 | 第51-54页 |
| 4.1.1 研磨运动模块 | 第51-52页 |
| 4.1.2 超声辅助模块 | 第52-53页 |
| 4.1.3 外加电场模块 | 第53-54页 |
| 4.2 实验机结构设计 | 第54-58页 |
| 4.2.1 运转分析 | 第55-56页 |
| 4.2.2 模态分析 | 第56-58页 |
| 4.3 数据采集系统设计 | 第58-62页 |
| 4.3.1 采集系统介绍 | 第58-60页 |
| 4.3.2 采集操作步骤 | 第60-62页 |
| 4.4 本章小结 | 第62-63页 |
| 第5章 研抛实验及结果分析 | 第63-78页 |
| 5.1 原始数据处理 | 第63-66页 |
| 5.1.1 正压力获取 | 第63-64页 |
| 5.1.2 摩擦力获取 | 第64-66页 |
| 5.2 普通研磨与研抛实验效果 | 第66-71页 |
| 5.2.1 原始条件下SiC摩擦特性 | 第66-67页 |
| 5.2.2 研磨实验效果 | 第67-69页 |
| 5.2.3 抛光实验效果 | 第69-71页 |
| 5.3 外加能场对研抛效果的影响 | 第71-77页 |
| 5.3.1 电化学研抛效果分析 | 第71-73页 |
| 5.3.2 超声辅助研抛效果分析 | 第73-75页 |
| 5.3.3 超声—电化学研抛效果分析 | 第75-77页 |
| 5.4 本章小结 | 第77-78页 |
| 结论 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-85页 |
| 致谢 | 第85页 |
