| 符号说明 | 第9-10页 |
| 摘要 | 第10-11页 |
| ABSTRACT | 第11页 |
| 第一章 绪论 | 第12-21页 |
| 1.1 论文背景和研究意义 | 第12页 |
| 1.2 SiC微结构杨氏模量参数测试研究现状 | 第12-19页 |
| 1.2.1 纳米压痕法 | 第13-15页 |
| 1.2.2 谐振法 | 第15-16页 |
| 1.2.3 微拉伸法 | 第16-19页 |
| 1.3 SiC微结构力学性能测试方法选择 | 第19-20页 |
| 1.4 本文主要工作及内容安排 | 第20-21页 |
| 第二章 测量原理分析与SiC膜结构设计 | 第21-31页 |
| 2.1 引言 | 第21页 |
| 2.2 SiC薄膜杨氏模量测量原理 | 第21-22页 |
| 2.3 基于偶应力理论的四边固支矩形膜力学性能计算 | 第22-25页 |
| 2.3.1 四边固支矩形膜挠度计算分析 | 第22-24页 |
| 2.3.2 计算结果与仿真结果对比 | 第24-25页 |
| 2.4 四边固支矩形膜力学性能分析 | 第25-28页 |
| 2.4.1 杨氏模量的计算 | 第25-26页 |
| 2.4.2 四边固支矩形膜力学性能与长宽比的关系 | 第26-27页 |
| 2.4.3 四边固支矩形膜力学性能与边长的关系 | 第27页 |
| 2.4.4 膜厚度对四边固支矩形膜力学性能的影响 | 第27-28页 |
| 2.5 四边固支膜的尺寸设计 | 第28-30页 |
| 2.6 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 四边固支Si膜及四边固支SiC膜加工工艺研究 | 第31-44页 |
| 3.1 四边固支矩形Si膜加工工艺研究 | 第31-34页 |
| 3.2 SiC膜异质外延生长工艺简介 | 第34-35页 |
| 3.3 四边固支矩形SiC膜加工工艺研究 | 第35-43页 |
| 3.3.1 氧化 | 第36-37页 |
| 3.3.2 镀Cr | 第37页 |
| 3.3.3 双面光刻 | 第37-39页 |
| 3.3.4 去SiO_2 | 第39-40页 |
| 3.3.5 去Cr | 第40页 |
| 3.3.6 腐蚀Si | 第40-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 基于原子力显微镜（AFM）的四边固支SiC矩形膜杨氏模量测量 | 第44-62页 |
| 4.1 AFM测量基本原理分析 | 第44-47页 |
| 4.1.1 AFM原理 | 第44页 |
| 4.1.2 AFM力-曲线模式工作原理 | 第44-46页 |
| 4.1.3 AFM法测量杨氏模量基本原理分析 | 第46-47页 |
| 4.2 Si膜的杨氏模量测量 | 第47-50页 |
| 4.3 SiC膜的杨氏模量测量 | 第50-57页 |
| 4.3.1 SiC膜表面情况的测量 | 第50-51页 |
| 4.3.2 厚度的测量 | 第51-52页 |
| 4.3.3 原子力显微镜探针弹性系数的测量 | 第52-53页 |
| 4.3.4 探针灵敏度的测量 | 第53页 |
| 4.3.5 SiC四边固支膜弹性系数与SiC薄膜杨氏模量的计算 | 第53-57页 |
| 4.4 结果讨论与误差分析 | 第57-61页 |
| 4.4.1 杨氏模量测量结果与分析 | 第57-60页 |
| 4.4.2 弹性系数测量结果与分析 | 第60-61页 |
| 4.5 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 全文总结与研究展望 | 第62-64页 |
| 5.1 全文总结 | 第62-63页 |
| 5.2 研究展望 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第69页 |
