| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 课题背景及研究意义 | 第9-11页 |
| 1.2 国内外在该方向的研究现状及分析 | 第11-16页 |
| 1.2.1 SiC功率MOSFET器件研究现状 | 第11-13页 |
| 1.2.2 器件建模研究现状 | 第13-15页 |
| 1.2.3 驱动电路研究现状 | 第15-16页 |
| 1.3 本文的主要研究内容 | 第16-18页 |
| 第2章 SiC功率MOSFET静态特性测试技术 | 第18-29页 |
| 2.1 器件结构与工作原理 | 第18-20页 |
| 2.2 线性区静态特性测试 | 第20-24页 |
| 2.2.1 基于Agilent B1505A的测试方案设计 | 第20-21页 |
| 2.2.2 主要静态特性测试 | 第21-24页 |
| 2.3 静态特性补充测试 | 第24-27页 |
| 2.3.1 补充测试方案设计 | 第24-26页 |
| 2.3.2 输出特性补充测试 | 第26-27页 |
| 2.3.3 转移特性补充测试 | 第27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-29页 |
| 第3章 SiC功率MOSFET建模 | 第29-43页 |
| 3.1 器件静态模型 | 第29-38页 |
| 3.1.1 MOS核心单元建模 | 第29-31页 |
| 3.1.2 补偿电压源建模 | 第31-32页 |
| 3.1.3 静态模型参数提取 | 第32-37页 |
| 3.1.4 补偿电流源建模 | 第37-38页 |
| 3.2 器件动态模型 | 第38-42页 |
| 3.2.1 栅极等效电路 | 第38-39页 |
| 3.2.2 动态过程建模 | 第39-42页 |
| 3.3 本章小结 | 第42-43页 |
| 第4章 SiC功率MOSFET驱动电路研究与设计 | 第43-55页 |
| 4.1 驱动电路设计要求 | 第43-45页 |
| 4.2 驱动电路设计 | 第45-53页 |
| 4.2.1 驱动类型选择 | 第45-46页 |
| 4.2.2 功率放大电路选择 | 第46-48页 |
| 4.2.3 驱动电路具体实现 | 第48-53页 |
| 4.3 双脉冲测试电路设计 | 第53-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 第5章 仿真与实验分析 | 第55-69页 |
| 5.1 静态模型验证 | 第55-59页 |
| 5.1.1 静态模型在Simulink中的实现 | 第55-56页 |
| 5.1.2 仿真与实验对比分析 | 第56-59页 |
| 5.2 动态模型验证 | 第59-61页 |
| 5.2.1 动态模型在Simulink中的实现 | 第59-60页 |
| 5.2.2 仿真与实验对比分析 | 第60-61页 |
| 5.3 驱动电路实验验证 | 第61-67页 |
| 5.3.1 实验平台介绍 | 第61-62页 |
| 5.3.2 光耦隔离驱动电路实验分析 | 第62-65页 |
| 5.3.3 脉冲变压器隔离驱动电路实验分析 | 第65-67页 |
| 5.4 本章小结 | 第67-69页 |
| 结论 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第74-76页 |
| 致谢 | 第76页 |