| 摘要 | 第9-11页 |
| ABSTRACT | 第11-12页 |
| 符号说明 | 第13-14页 |
| 第一章 引言 | 第14-19页 |
| 1.1 半导体材料的基础了解 | 第14-15页 |
| 1.2 半导体材料的相关内容 | 第15-16页 |
| 1.2.1 半导体材料的发展 | 第15-16页 |
| 1.2.2 半导体材料的制备 | 第16页 |
| 1.2.3 半导体材料的种类 | 第16页 |
| 1.3 GaAs半导体材料的概述 | 第16-18页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第18-19页 |
| 第二章 分子模拟技术 | 第19-27页 |
| 2.1 引言 | 第19页 |
| 2.2 分子模拟方法 | 第19-21页 |
| 2.2.1 蒙特卡罗方法(MC) | 第19-20页 |
| 2.2.2 分子动力学方法(MD) | 第20页 |
| 2.2.3 分子力学方法(MM) | 第20页 |
| 2.2.4 量子力学方法(QM) | 第20-21页 |
| 2.2.5 介观模拟方法(Mesoscale Simulation) | 第21页 |
| 2.3 第一性原理计算的基本理论 | 第21-24页 |
| 2.3.1 第一性原理计算 | 第21-22页 |
| 2.3.2 薛定谔方程 | 第22页 |
| 2.3.3 密度泛函理论 | 第22-24页 |
| 2.3.3.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第22-23页 |
| 2.3.3.2 Kohn-Sham方程 | 第23页 |
| 2.3.3.3 交换关联能的近似方法 | 第23-24页 |
| 2.3.3.4 密度泛函理论的应用和发展 | 第24页 |
| 2.4 VASP软件包和使用方法介绍 | 第24-27页 |
| 第三章 GaAs可饱和吸收点缺陷的第一性原理的研究 | 第27-44页 |
| 3.1 引言 | 第27-28页 |
| 3.2 计算方法 | 第28-29页 |
| 3.3 结果和讨论 | 第29-42页 |
| 3.3.1 Ga空位(V_(Ga)) | 第29-30页 |
| 3.3.2 As空位(V_(As)) | 第30-32页 |
| 3.3.3 Ga反位(Ga_(As)) | 第32-33页 |
| 3.3.4 As反位(As_(Ga)) | 第33-34页 |
| 3.3.5 Ga间隙缺陷(Ga_i) | 第34-39页 |
| 3.3.6 As间隙缺陷(As_i) | 第39-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-44页 |
| 第四章 与GaAs晶格匹配的四元化合物GaAs_(1-x-y)N_xBi_y电学和光学性质的第一性原理研究 | 第44-55页 |
| 4.1 引言 | 第44页 |
| 4.2 计算方法 | 第44-45页 |
| 4.3 结果和讨论 | 第45-54页 |
| 4.3.1 结构和电学性质 | 第45-46页 |
| 4.3.2 光学性质 | 第46-50页 |
| 4.3.3 N,Bi组分发生变化时GaAs_(1-x-y)N_xBi_y四元化合物的性质的变化 | 第50-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 全文总结 | 第55-57页 |
| 5.1 论文完成的工作 | 第55-56页 |
| 5.2 展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 攻读硕士研究生期间研究成果 | 第62-63页 |
| 附件 | 第63页 |
