| 摘要 | 第9-13页 |
| ABSTRACT | 第13-17页 |
| 第一章 绪论 | 第18-61页 |
| 1.1 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体概述 | 第18-33页 |
| 1.1.1 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的主要特征 | 第18-23页 |
| 1.1.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体在固态照明中的应用 | 第23-29页 |
| 1.1.3 GaP的主要特性及在LEDs方面的应用 | 第29-33页 |
| 1.2 半导体材料的腐蚀方法及激光干涉法图形制备技术 | 第33-38页 |
| 1.2.1 半导体材料的腐蚀方法 | 第33-35页 |
| 1.2.2 激光干涉法图形制备技术 | 第35-38页 |
| 1.3 表面等离激元的原理及应用 | 第38-50页 |
| 1.3.1 表面等离激元的原理 | 第39-43页 |
| 1.3.2 局域表面等离激元的应用 | 第43-50页 |
| 1.4 研究的目的和拟解决的问题 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-61页 |
| 第二章 等离激元结构辅助的GaP光化学腐蚀及波长选择性 | 第61-83页 |
| 2.1 前言 | 第61-62页 |
| 2.2 实验部分 | 第62-64页 |
| 2.2.1 p-GaP光化学腐蚀剂的选择 | 第62页 |
| 2.2.2 Au纳米结构的制备 | 第62-63页 |
| 2.2.3 Au纳米结构增强光化学腐蚀过程及测试 | 第63-64页 |
| 2.3 实验结果和分析 | 第64-78页 |
| 2.3.1 不同腐蚀剂下p-GaP的光化学腐蚀效果 | 第64-67页 |
| 2.3.2 Au纳米结构增强GaP的样品的光化学腐蚀 | 第67-73页 |
| 2.3.3 GaP样品光化学腐蚀过程的激光波长选择性 | 第73-76页 |
| 2.3.4 GaP的等离激元辅助光化学腐蚀机制 | 第76-78页 |
| 2.4 本章小结 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-83页 |
| 第三章 纳米等离激元结构在GaP光致发光性能和拉曼增强方面的应用 | 第83-105页 |
| 3.1 前言 | 第83-84页 |
| 3.2 实验部分 | 第84-86页 |
| 3.2.1 Au和Ag纳米结构制备 | 第84-86页 |
| 3.2.2 Au和Ag纳米结构的表征及光谱测试过程 | 第86页 |
| 3.3 实验结果分析 | 第86-100页 |
| 3.3.1 溅射样品的特性及PL光谱分析 | 第86-94页 |
| 3.3.2 电流置换反应制备样品的特性及SERS | 第94-100页 |
| 3.4 本章小结 | 第100-102页 |
| 参考文献 | 第102-105页 |
| 第四章 p-GaP表面图形的无掩膜制备及其在AlGaInP基LEDs上的应用 | 第105-125页 |
| 4.1 前言 | 第105-106页 |
| 4.2 实验过程分析 | 第106-110页 |
| 4.2.1 双光束干涉辅助湿法腐蚀的图形结构制备 | 第106-108页 |
| 4.2.2 光栅干涉法图形结构制备 | 第108-110页 |
| 4.2.3 样品的表征及测试分析方法 | 第110页 |
| 4.3 结果和分析 | 第110-121页 |
| 4.3.1 双光束干涉图形结构的形貌特征及形成机制 | 第110-114页 |
| 4.3.2 光栅干涉图形结构形貌特征 | 第114-115页 |
| 4.3.3 无掩膜法图形结构制备在AlGaInP基红光LEDs上的应用 | 第115-121页 |
| 4.4 本章小结 | 第121-122页 |
| 参考文献 | 第122-125页 |
| 第五章 结论与展望 | 第125-129页 |
| 5.1 主要结论 | 第125-128页 |
| 5.2 论文的创新点 | 第128页 |
| 5.3 需要进一步研究的问题 | 第128-129页 |
| 致谢 | 第129-130页 |
| 攻读博士学位期间已发表的论文 | 第130-131页 |
| 附件 | 第131-141页 |
| 附表 | 第141页 |
