石墨衬底上制备SiC薄膜的研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第7-18页 |
| 1.1 SiC材料的结构与性质 | 第7-10页 |
| 1.1.1 SiC材料的结构 | 第7-8页 |
| 1.1.2 SiC材料物理和化学的性质 | 第8-9页 |
| 1.1.3 SiC材料的光电性质 | 第9-10页 |
| 1.2 SiC材料的应用与发展 | 第10-11页 |
| 1.3 SiC材料制备的国内外研究现状 | 第11-16页 |
| 1.3.1 化学汽相沉积 | 第11-14页 |
| 1.3.2 物理汽相沉积 | 第14-16页 |
| 1.4 本论文的主要研究工作 | 第16-17页 |
| 1.5 本章小结 | 第17-18页 |
| 第二章 SiC薄膜的制备工艺与表征手段 | 第18-26页 |
| 2.1 SiC薄膜的制备方法 | 第18-20页 |
| 2.1.1 化学气相沉积 | 第18-19页 |
| 2.1.2 物理气相沉积 | 第19-20页 |
| 2.2 SiC薄膜的常用表征方法 | 第20-25页 |
| 2.2.1 X射线衍射（XRD） | 第21-22页 |
| 2.2.2 拉曼散射（Raman） | 第22页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜(SEM) | 第22-23页 |
| 2.2.4 X射线能谱仪(EDS) | 第23-24页 |
| 2.2.5 原子力显微镜(AFM) | 第24页 |
| 2.2.6 台阶仪 | 第24-25页 |
| 2.3 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 磁控溅射法制备SiC薄膜 | 第26-35页 |
| 3.1 磁控溅射工艺介绍 | 第26-31页 |
| 3.1.1 溅射法概述 | 第26-27页 |
| 3.1.2 磁控溅射法的原理及特点 | 第27-29页 |
| 3.1.3 薄膜的沉积过程 | 第29-31页 |
| 3.2 实验仪器 | 第31-34页 |
| 3.2.1 磁控溅射镀膜机 | 第31-32页 |
| 3.2.2 高真空退火炉 | 第32-34页 |
| 3.3 本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 SiC薄膜的制备工艺 | 第35-64页 |
| 4.1 实验材料 | 第35-37页 |
| 4.1.1 石墨的结构与性质 | 第35-36页 |
| 4.1.2 Si的结构与性质 | 第36-37页 |
| 4.2 磁控溅射制备SiC薄膜 | 第37-40页 |
| 4.2.1 基片的清洗 | 第37-38页 |
| 4.2.2 实验仪器的清洁 | 第38页 |
| 4.2.3 溅射沉积Si膜 | 第38-39页 |
| 4.2.4 样品的退火处理 | 第39-40页 |
| 4.3 Si膜厚度对制备SiC薄膜的影响 | 第40-44页 |
| 4.4 退火时间对制备SiC薄膜的影响 | 第44-48页 |
| 4.5 退火温度对制备SiC薄膜的影响 | 第48-58页 |
| 4.6 衬底加热对SiC薄膜的影响 | 第58-61页 |
| 4.7 C缓冲层对SiC薄膜的影响 | 第61-63页 |
| 4.8 本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 总结与展望 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 附录 | 第70-71页 |
