| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| 1.1 InAlGaN四元合金的研究现状 | 第8-11页 |
| 1.1.1 二元Ⅲ族氮化物材料特性 | 第8-9页 |
| 1.1.2 InAlGaN的禁带宽度 | 第9-10页 |
| 1.1.3 能带不连续性 | 第10页 |
| 1.1.4 InAlGaN材料研究现状与挑战 | 第10-11页 |
| 1.2 论文研究内容及创新点 | 第11-12页 |
| 第二章 外延生长技术及表征方法 | 第12-20页 |
| 2.1 MOVPE外延生长技术 | 第12-17页 |
| 2.1.1 MOVPE设备介绍 | 第12-13页 |
| 2.1.2 MOVPE生长机理 | 第13-14页 |
| 2.1.3 InAlGaN材料MOVPE生长的特点 | 第14-17页 |
| 2.2 表征方法 | 第17-18页 |
| 2.2.1 X射线衍射 | 第17-18页 |
| 2.2.2 常温与变温光致发光谱 | 第18页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜与能量色散谱 | 第18页 |
| 2.2.4 紫外可见光分光光度计 | 第18页 |
| 2.3 本章小结 | 第18-20页 |
| 第三章 p型InAlGaN/GaN超晶格电子阻挡层的理论模拟研究 | 第20-31页 |
| 3.1 GaN基LED中的电子阻挡层 | 第20-22页 |
| 3.1.1 电子阻挡层的作用机理 | 第20-21页 |
| 3.1.2 几种常见的电子阻挡层 | 第21-22页 |
| 3.1.3 现有技术存在的问题 | 第22页 |
| 3.2 p-InAlGaN/GaN超晶格电子阻挡层的模拟实验 | 第22-27页 |
| 3.2.1 APSYS软件介绍 | 第22-23页 |
| 3.2.2 2D-LED结构设计 | 第23-25页 |
| 3.2.3 模拟参数设置 | 第25-26页 |
| 3.2.4 p-InAlGaN/GaN超晶格电子阻挡层结构设计 | 第26-27页 |
| 3.3 模拟结果分析 | 第27-30页 |
| 3.3.1 能带图 | 第27-28页 |
| 3.3.2 LOP与I-V特性曲线 | 第28页 |
| 3.3.3 电流密度分布 | 第28-29页 |
| 3.3.4 IQE下降现象 | 第29-30页 |
| 3.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第四章 InAlGaN四元合金的生长及晶体质量优化 | 第31-48页 |
| 4.1 引言 | 第31页 |
| 4.2 AlGaN薄膜的生长及晶体质量优化 | 第31-39页 |
| 4.2.1 非掺杂AlGaN薄膜的生长 | 第31-36页 |
| 4.2.2 掺杂AlGaN薄膜的生长 | 第36-39页 |
| 4.3 InAlGaN薄膜的生长及晶体质量优化 | 第39-46页 |
| 4.3.1 InAlGaN薄膜生长技术的研究现况 | 第39-40页 |
| 4.3.2 生长温度对InAlGaN薄膜晶体质量及光学特性的影响 | 第40-42页 |
| 4.3.3 反应室压力对InAlGaN薄膜表面形貌的影响 | 第42-43页 |
| 4.3.4 Ⅴ/Ⅲ比对InAlGaN薄膜晶体质量影响 | 第43-44页 |
| 4.3.5 外延层厚度对InAlGaN薄膜光致发光特性的影响 | 第44-45页 |
| 4.3.6 与GaN完全晶格匹配InAlGaN薄膜的生长及特性分析 | 第45-46页 |
| 4.4 本章小结 | 第46-48页 |
| 第五章 高Al/In摩尔比InAlGaN四元合金的生长及特性分析 | 第48-53页 |
| 5.1 高Al/In摩尔比InAlGaN四元合金的特点及应用前景 | 第48页 |
| 5.2 生长参数设计 | 第48-49页 |
| 5.3 外延层晶体质量分析 | 第49-51页 |
| 5.3.1 XRD和EDS测试 | 第49-50页 |
| 5.3.2 表面形貌观察 | 第50-51页 |
| 5.4 光学特性分析 | 第51-52页 |
| 5.4.1 光致发光测试 | 第51-52页 |
| 5.5 本章小结 | 第52-53页 |
| 第六章 总结与展望 | 第53-56页 |
| 6.1 全文总结 | 第53-54页 |
| 6.2 未来展望 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-66页 |
| 附录：攻读硕士学位期间的研究成果 | 第66页 |
