| 摘要 | 第10-12页 |
| ABSTRACT | 第12-14页 |
| 第一章 绪论 | 第15-44页 |
| 1.1 引言 | 第15-16页 |
| 1.2 GaN材料基本性质 | 第16-18页 |
| 1.2.1 结构性质 | 第16-17页 |
| 1.2.2 化学性质 | 第17-18页 |
| 1.2.3 光学性质 | 第18页 |
| 1.2.4 电学性质 | 第18页 |
| 1.3 GaN材料的制备 | 第18-32页 |
| 1.3.1 GaN异质外延薄膜的制备 | 第18-22页 |
| 1.3.2 GaN单晶生长 | 第22-32页 |
| 1.4 GaN材料的表征 | 第32-35页 |
| 1.4.1 扫描电子显微镜 | 第32页 |
| 1.4.2 透射电子显微镜 | 第32-33页 |
| 1.4.3 原子力显微镜 | 第33页 |
| 1.4.4 光致发光光谱 | 第33页 |
| 1.4.5 高分辨X射线衍射 | 第33-34页 |
| 1.4.6 拉曼测试 | 第34页 |
| 1.4.7 正电子湮灭测试 | 第34-35页 |
| 1.5 本文选题依据和研究内容 | 第35-36页 |
| 参考文献 | 第36-44页 |
| 第二章 衬底应力与表面生长动力学的关系研究 | 第44-63页 |
| 2.1 前言 | 第44-45页 |
| 2.2 实验内容 | 第45-46页 |
| 2.3 不同应力衬底上制备GaN晶体的质量表征 | 第46-48页 |
| 2.4 应力与表面生长动力学的关系 | 第48-59页 |
| 2.4.1 原子的扩散输运对外延层生长模式、表面形貌和微观结构的影响 | 第48-50页 |
| 2.4.2 Ⅴ/Ⅲ对微观原子扩散的影响 | 第50-56页 |
| 2.4.3 微观原子扩散和宏观应力之间的关系 | 第56-58页 |
| 2.4.4 通过Ⅴ/Ⅲ调节克服应力对晶体生长影响的原理 | 第58-59页 |
| 2.5 本章小结 | 第59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 第三章 高温退火多孔衬底实现GaN晶体自剥离 | 第63-78页 |
| 3.1 前言 | 第63-65页 |
| 3.2 实验部分 | 第65-66页 |
| 3.3 多孔衬底的结构表征及形成原理分析 | 第66-68页 |
| 3.4 使用多孔衬底制备自支撑GaN晶体 | 第68-74页 |
| 3.5 本章小结 | 第74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 第四章 使用图形化多孔结构衬底生长GaN单晶 | 第78-93页 |
| 4.1 前言 | 第78-80页 |
| 4.2 图形化多孔结构衬底制备 | 第80-85页 |
| 4.2.1 实验部分 | 第80页 |
| 4.2.2 图形化多孔结构衬底形貌表征和讨论 | 第80-82页 |
| 4.2.3 图形化多孔结构形成机理 | 第82-85页 |
| 4.3 使用图形化多孔结构衬底生长自支撑GaN晶体 | 第85-89页 |
| 4.4 本章小结 | 第89-90页 |
| 参考文献 | 第90-93页 |
| 第五章 两步腐蚀多孔衬底生长GaN单晶 | 第93-109页 |
| 5.1 前言 | 第93-95页 |
| 5.2 两步腐蚀MOCVD-GaN衬底 | 第95-100页 |
| 5.2.1 两步腐蚀法概述 | 第95-96页 |
| 5.2.2 电化学腐蚀MOCVD-GaN衬底 | 第96-99页 |
| 5.2.3 热磷酸再次腐蚀MOCVD-GaN衬底 | 第99-100页 |
| 5.3 两步腐蚀衬底HVPE生长GaN晶体 | 第100-105页 |
| 5.3.1 两步腐蚀衬底用于HVPE生长GaN晶体的工艺流程 | 第100-101页 |
| 5.3.2 两步腐蚀法衬底的结构 | 第101-102页 |
| 5.3.3 两步腐蚀衬底生长自剥离GaN晶体的性能表征 | 第102-105页 |
| 5.4 本章小结 | 第105页 |
| 参考文献 | 第105-109页 |
| 第六章 结论和展望 | 第109-113页 |
| 6.1 本文总结 | 第109-110页 |
| 6.2 本文创新点 | 第110-111页 |
| 6.3 本文展望 | 第111-113页 |
| 致谢 | 第113-114页 |
| 攻读博士学位期间的奖励、论文及专利 | 第114-117页 |
| 附件（文章） | 第117-129页 |
| 附表 | 第129页 |
