| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 稀磁半导体 | 第10-21页 |
| 1.1.1 稀磁半导体发展历史及研究现状 | 第10-12页 |
| 1.1.2 稀磁半导体的物理特性 | 第12-14页 |
| 1.1.3 稀磁半导体的磁性机理 | 第14-20页 |
| 1.1.4 稀磁半导体的应用前景 | 第20-21页 |
| 1.2 ZnO基稀磁半导体 | 第21-24页 |
| 1.2.1 ZnO的基本性质 | 第21-23页 |
| 1.2.2 ZnO基稀磁半导体的研究现状 | 第23-24页 |
| 第二章 ZnO基稀磁半导体的制备及其表征 | 第24-35页 |
| 2.1 ZnO薄膜的制备方法 | 第24-29页 |
| 2.1.1 脉冲激光沉积(PLD) | 第24-26页 |
| 2.1.2 磁控溅射 | 第26-27页 |
| 2.1.3 分子束外延(MBE) | 第27页 |
| 2.1.4 原子层沉积 | 第27-28页 |
| 2.1.5 溶胶-凝胶(Sol-Gel) | 第28-29页 |
| 2.2 样品的表征方法 | 第29-35页 |
| 2.2.1 X射线衍射仪(XRD) | 第30-31页 |
| 2.2.2 振动样品磁强计(VSM) | 第31-32页 |
| 2.2.3 Raman光致发光谱(PL) | 第32-33页 |
| 2.2.4 扫描电子显微镜(SEM) | 第33-34页 |
| 2.2.5 X射线光电子能谱仪(XPS) | 第34-35页 |
| 第三章 非磁性元素Mg掺杂ZnO薄膜性能分析 | 第35-49页 |
| 3.1 ZMO薄膜的制备及工艺参数 | 第35页 |
| 3.2 不同Mg掺杂含量对ZMO薄膜性能影响 | 第35-41页 |
| 3.2.1 不同Mg含量对ZMO薄膜结构影响 | 第35-37页 |
| 3.2.2 不同Mg掺杂含量对ZMO薄膜的磁性影响 | 第37-38页 |
| 3.2.3 不同Mg掺杂含量对ZnMgO薄膜光学性质的影响 | 第38-41页 |
| 3.3 不同退火温度对ZMO薄膜性能影响 | 第41-44页 |
| 3.3.1 不同退火温度对ZMO薄膜结构的影响 | 第42-43页 |
| 3.3.2 不同退火温度对ZMO薄膜磁性的影响 | 第43页 |
| 3.3.3 不同退火温度对ZMO薄膜光学性质的影响 | 第43-44页 |
| 3.4 不同氧压对ZMO薄膜的性能影响 | 第44-48页 |
| 3.4.1 不同氧压对ZMO薄膜结构的影响 | 第45-46页 |
| 3.4.2 不同氧压对ZMO薄膜磁性的影响 | 第46-48页 |
| 3.5 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 磁性元素Co掺杂ZnO薄膜性能分析 | 第49-58页 |
| 4.1 ZnCoO薄膜的制备工艺及参数 | 第49页 |
| 4.2 不同Co掺杂含量对ZnCoO薄膜性能影响 | 第49-53页 |
| 4.2.1 不同Co掺杂含量对薄膜结构性能影响 | 第49-50页 |
| 4.2.2 不同Co掺杂含量对薄膜磁性能影响 | 第50-51页 |
| 4.2.3 不同Co掺杂含量对薄膜光学性质的影响 | 第51-53页 |
| 4.3 不同退火温度对ZnCoO薄膜性能影响 | 第53-57页 |
| 4.3.1 不同退火温度对ZnCoO薄膜结构性能影响 | 第53-54页 |
| 4.3.2 不同退火温度对薄膜磁性能影响 | 第54-55页 |
| 4.3.3 退火温度对薄膜光学性质的影响 | 第55-57页 |
| 4.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 结论与展望 | 第58-60页 |
| 5.1 文章总结 | 第58-59页 |
| 5.2 研究展望与存在的问题 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 攻读硕士期间获得的成果 | 第69页 |
