GaN宽禁带器件管芯参数提取技术研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-11页 |
| ·本课题研究背景和意义 | 第9-10页 |
| ·本论文的组织结构 | 第10-11页 |
| 第2章 射频电路设计基础 | 第11-30页 |
| ·S参数介绍 | 第11-14页 |
| ·传输线方程的S参数 | 第11-12页 |
| ·双端.网络的S参数 | 第12-13页 |
| ·射频性能的S参数表示 | 第13-14页 |
| ·信号流图理论 | 第14-16页 |
| ·信号流程图的定义 | 第14页 |
| ·信号流程图的化简 | 第14-15页 |
| ·定向耦合器的信号流图表示 | 第15-16页 |
| ·射频器件 | 第16-25页 |
| ·射频电容 | 第16-19页 |
| ·射频电感 | 第19-20页 |
| ·GaN异质结场效应晶体管?HFET? | 第20-25页 |
| ·射频印制电路设计 | 第25-29页 |
| ·微带线 | 第26-28页 |
| ·镀金工艺的选择 | 第28页 |
| ·PCB板材的选择 | 第28-29页 |
| ·小结 | 第29-30页 |
| 第3章 矢量网络分析仪校准技术 | 第30-47页 |
| ·矢量网络分析仪简介 | 第30页 |
| ·矢量网络分析仪的系统误差 | 第30-31页 |
| ·矢量网络分析仪的校准方法和校准技术 | 第31页 |
| ·矢量网络分析仪校准技术的实现 | 第31-34页 |
| ·反射参数测量 | 第31-33页 |
| ·传输参数测量 | 第33-34页 |
| ·矢量网络分析仪的误差模型分析 | 第34-45页 |
| ·12项误差模型的分析 | 第34-40页 |
| ·8 项误差模型(TRL校准)的分析 | 第40-45页 |
| ·小结 | 第45-47页 |
| 第4章 TRL校准套件的设计理论及制作实现 | 第47-56页 |
| ·TRL校准套件的设计 | 第47-53页 |
| ·TRL校准套件的设计原理 | 第47-50页 |
| ·TRL校准套件的设计实现 | 第50-53页 |
| ·GaN管芯PCB设计 | 第53-55页 |
| ·小结 | 第55-56页 |
| 第5章 GaN管芯参数的提取与分析 | 第56-74页 |
| ·偏置电路的设计 | 第56-59页 |
| ·射频微带偏置电路的设计 | 第56-58页 |
| ·GaN管芯偏置电路的设计 | 第58-59页 |
| ·GaN管芯S参数的提取与分析 | 第59-73页 |
| ·矢量网络分析仪的校准 | 第59-64页 |
| ·GaN管芯参数提取 | 第64-73页 |
| ·小结 | 第73-74页 |
| 第6章 总结与展望 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-78页 |
| 附录 | 第78页 |
