| 摘要 | 第1-9页 |
| Abstract | 第9-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-33页 |
| ·硅基发光材料的研究背景与研究现状 | 第13-16页 |
| ·硅基发光材料的研究背景 | 第13-14页 |
| ·硅基发光材料的研究现状 | 第14-16页 |
| ·硅基发光材料的发光机制 | 第16-23页 |
| ·带间辐射复合跃迁 | 第16-20页 |
| ·带隙中缺陷态辐射复合跃迁 | 第20-23页 |
| ·本论文的主要研究内容与研究意义 | 第23-28页 |
| ·发光氮氧化硅(SiN_xO_y)薄膜研究背景 | 第23-25页 |
| ·我们小组以前的工作 | 第25页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第25-28页 |
| 参考文献 | 第28-33页 |
| 第二章 发光a-SiN_x:O薄膜的制备、波长可调和稳定性研究 | 第33-46页 |
| ·引言 | 第33页 |
| ·发光可调制a-SiN_x:O薄膜的制备工艺 | 第33-36页 |
| ·探索改善a-SiN_x:O薄膜光致衰退现象的有效途径 | 第36-38页 |
| ·a-SiN_x:O薄膜PL谱的时间演化自恢复亚稳特性 | 第38-40页 |
| ·高质量发光稳定a-SiN_x:O薄膜的后处理工艺 | 第40-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-46页 |
| 第三章 a-SiN_x:O薄膜N-Si-O组态发光机制的研究 | 第46-69页 |
| ·引言 | 第46-47页 |
| ·氧的掺入对a-SiN_x薄膜能带结构的影响 | 第47-50页 |
| ·a-SiN_x:O薄膜中N-Si-O键合组态及其相关缺陷态 | 第50-61页 |
| ·XPS谱研究a-SiN_x:O薄膜中N-Si-O键合组态 | 第51-55页 |
| ·FTIR谱研究a-SiN_x:O薄膜中N-Si-O键合组态 | 第55-57页 |
| ·EPR谱研究a-SiN_x:O薄膜能带结构中N-Si-O相关缺陷态 | 第57-61页 |
| ·a-SiN_x:O薄膜的两个不同于a-SiN_x的PL特性 | 第61-63页 |
| ·发光可调制a-SiN_x:O薄膜的缺陷态发光模型 | 第63-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 第四章 a-SiN_x:O薄膜高发光量子效率的研究 | 第69-82页 |
| ·引言 | 第69-71页 |
| ·硅基发光材料荧光量子效率研究背景 | 第69-70页 |
| ·光致发光量子效率的定义 | 第70-71页 |
| ·a-SiN_x:O薄膜荧光外量子效率(PL EQE)的研究 | 第71-74页 |
| ·a-SiN_x:O薄膜室温下的高效率发光 | 第71-72页 |
| ·积分球中直接测量获得a-SiN_x:O薄膜的PL EQE | 第72-74页 |
| ·固态a-SiN_x:O薄膜荧光内量子效率(PL IQE)的研究 | 第74-77页 |
| ·由固态a-SiN_x:O薄膜的光萃取因子(N~*)获得PL IQE(ε) | 第74-75页 |
| ·直接测量固态a-SiN_x:O薄膜的光学参数计算PL IQE | 第75-76页 |
| ·通过测试变温PL谱估算a-SiN_x:O薄膜的PL IQE | 第76-77页 |
| ·本章小结 | 第77-80页 |
| 参考文献 | 第80-82页 |
| 第五章 基于温度、时间演变PL谱研究光生载流子瞬态复合动力学过程 | 第82-98页 |
| ·引言 | 第82-83页 |
| ·温度演化的SSPL与TIPL研究a-SiN_x:O薄膜的辐射复合过程 | 第83-85页 |
| ·室温下a-SiN_x:O薄膜中N-Si-O缺陷态的发光动力学过程 | 第85-90页 |
| ·时间演化的ns-TRPL谱研究N-Si-O缺陷态的瞬态辐射复合过程 | 第90-92页 |
| ·变温下a-SiN_x:O薄膜的荧光寿命与发光动力学过程的研究 | 第92-94页 |
| ·本章小结 | 第94-96页 |
| 参考文献 | 第96-98页 |
| 第六章 总结与展望 | 第98-103页 |
| ·本论文主要内容总结 | 第98-101页 |
| ·未来工作展望 | 第101-103页 |
| 攻读博士期间发表的学术论文 | 第103-106页 |
| 致谢 | 第106-108页 |
