| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| ·光子晶体简介 | 第8页 |
| ·三维光子晶体的制备方法 | 第8-12页 |
| ·微细加工法 | 第9页 |
| ·层层堆积法 | 第9-10页 |
| ·自组装法 | 第10-11页 |
| ·刻蚀法 | 第11-12页 |
| ·光子晶体的国内外发展现状 | 第12-13页 |
| ·光子晶体的应用 | 第13-16页 |
| ·军用防护 | 第13-14页 |
| ·高发射率小型微波天线 | 第14页 |
| ·高效发光二极管 | 第14页 |
| ·低阈值激光器 | 第14-15页 |
| ·光子晶体光纤 | 第15页 |
| ·光子晶体传感器 | 第15-16页 |
| ·集成光路 | 第16页 |
| ·本文主要研究目的、意义和内容 | 第16-18页 |
| ·研究目的和意义 | 第16页 |
| ·研究的内容 | 第16-18页 |
| 第二章 宏孔硅光电化学的腐蚀机理及光子晶体的带隙计算方法 | 第18-31页 |
| ·宏孔硅的光电化学法腐蚀机理 | 第18-20页 |
| ·宏孔硅通道内反应物质的输运分析 | 第20-22页 |
| ·对流运动 | 第20页 |
| ·电迁移运动 | 第20-21页 |
| ·扩散运动 | 第21-22页 |
| ·光子晶体的数值方法 | 第22-31页 |
| ·平面波展开法 | 第22-25页 |
| ·时域有限差分法 | 第25-31页 |
| 第三章 宏孔硅三维光子晶体的制备技术研究 | 第31-43页 |
| ·诱导坑的制备 | 第31-34页 |
| ·掩膜版的设计及其对宏孔硅光子晶体禁带的影响研究 | 第31-33页 |
| ·诱导坑腐蚀工艺流程 | 第33-34页 |
| ·光电化学腐蚀实验 | 第34-37页 |
| ·电化学实验装置 | 第34-36页 |
| ·实验原材料 | 第36页 |
| ·实验过程 | 第36-37页 |
| ·光电化学腐蚀法制备宏孔硅三维光子晶体结构的孔径控制技术研究 | 第37-43页 |
| ·临界电流密度与孔径的关系 | 第37-38页 |
| ·临界电流密度的计算 | 第38-40页 |
| ·腐蚀电流对三维通道的影响研究 | 第40-43页 |
| 第四章 宏孔硅三维光子晶体结构的带隙仿真计算 | 第43-51页 |
| ·仿真过程 | 第43-44页 |
| ·晶格排列对宏孔硅三维光子晶体结构的影响研究 | 第44-45页 |
| ·孔径对宏孔硅三维光子晶体结构的带隙影响研究 | 第45-47页 |
| ·介电常数对宏孔硅三维光子晶体结构的带隙影响研究 | 第47-51页 |
| 第五章 总结 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-54页 |