基于数值模拟的HVPE反应器设计与优化
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-19页 |
| ·引言 | 第8-11页 |
| ·GaN材料的性质 | 第11-13页 |
| ·GaN材料的基本性质 | 第11页 |
| ·GaN的晶体结构 | 第11-12页 |
| ·GaN的化学性质 | 第12页 |
| ·GaN的光学特性 | 第12页 |
| ·GaN的电学特性 | 第12-13页 |
| ·GaN晶体的制备方法 | 第13-16页 |
| ·GaN晶体制备历程 | 第13页 |
| ·外延生长技术及衬底材料 | 第13-15页 |
| ·HVPE生长GaN的研究历程 | 第15-16页 |
| ·晶体的表征手段 | 第16-17页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第16页 |
| ·拉曼光谱仪 | 第16页 |
| ·光致发光谱 | 第16-17页 |
| ·X射线衍射 | 第17页 |
| ·本文主要研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 计算流体力学和HVPE生长系统 | 第19-28页 |
| ·流体力学基础 | 第19-20页 |
| ·流体基本性质 | 第19-20页 |
| ·流体运动的描述方法 | 第20页 |
| ·计算流体力学 | 第20-22页 |
| ·计算流体力学发展历程 | 第20页 |
| ·流体力学中的基本方程 | 第20-21页 |
| ·计算流体力学数值模拟以及步骤 | 第21-22页 |
| ·Fluent软件群[52,53] | 第22-24页 |
| ·Gambit简介 | 第23-24页 |
| ·Fluent6.0 简介 | 第24页 |
| ·HVPE生长系统 | 第24-27页 |
| ·HVPE生长系统分类 | 第24-26页 |
| ·本课题模拟研究的立式大尺寸HVPE生长系统 | 第26-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 HVPE系统反应腔的二维数值模拟 | 第28-45页 |
| ·HVPE系统反应腔二维模型建立 | 第28-29页 |
| ·反应腔几何模型和网格划分 | 第28页 |
| ·边界条件 | 第28-29页 |
| ·V/III比的数值模拟与优化 | 第29-34页 |
| ·仿真模型 | 第29-30页 |
| ·流场分布 | 第30-32页 |
| ·分析与优化 | 第32-34页 |
| ·主载气流量的数值模拟与优化 | 第34-39页 |
| ·仿真模型 | 第35页 |
| ·流场分布 | 第35-38页 |
| ·分析与优化 | 第38-39页 |
| ·分隔气流量的数值模拟与优化 | 第39-44页 |
| ·仿真模型 | 第40页 |
| ·流场分布 | 第40-42页 |
| ·分析与优化 | 第42-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 HVPE反应腔的三维数值模拟 | 第45-64页 |
| ·HVPE系统反应腔三维模型建立 | 第45-46页 |
| ·反应腔几何模型和网格划分 | 第45-46页 |
| ·边界条件 | 第46页 |
| ·分隔气流速的模拟与优化 | 第46-52页 |
| ·仿真模型 | 第46-47页 |
| ·流场分布 | 第47-50页 |
| ·分析与优化 | 第50-52页 |
| ·V/III比对气流浓度场分布的影响 | 第52-58页 |
| ·仿真模型 | 第52-53页 |
| ·流场分布 | 第53-56页 |
| ·分析与优化 | 第56-58页 |
| ·分隔气出气口角度的模拟 | 第58-62页 |
| ·仿真模型 | 第58页 |
| ·流场分布 | 第58-62页 |
| ·本章小结 | 第62-64页 |
| 第五章 总结与展望 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
