| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 锗的性质与应用 | 第9-14页 |
| 1.2.1 锗的物理性质 | 第9-10页 |
| 1.2.2 锗的化学性质 | 第10页 |
| 1.2.3 锗的应用 | 第10-14页 |
| 1.3 锗单晶 | 第14-18页 |
| 1.3.1 锗晶体的生长 | 第14-15页 |
| 1.3.2 锗片加工 | 第15-16页 |
| 1.3.3 锗单晶中存在的缺陷 | 第16-18页 |
| 1.4 研究进展 | 第18-19页 |
| 1.5 本文的主要内容和研究意义 | 第19-20页 |
| 第二章 实验设计 | 第20-31页 |
| 2.1 表面损伤由来和影响 | 第20页 |
| 2.2 锗半导体的抛光和腐蚀机理 | 第20-21页 |
| 2.3 缺陷显示 | 第21-22页 |
| 2.4 晶体表面测试仪器 | 第22-23页 |
| 2.4.1 测试方法 | 第22页 |
| 2.4.2 扫描电子显微镜 | 第22页 |
| 2.4.3 原子力显微镜 | 第22-23页 |
| 2.4.4 金相显微镜 | 第23页 |
| 2.4.5 超声仪介绍 | 第23页 |
| 2.5 实验部分 | 第23-28页 |
| 2.5.1 实验思路 | 第23-24页 |
| 2.5.2 实验材料 | 第24-25页 |
| 2.5.3 样品预处理 | 第25页 |
| 2.5.4 定性处理 | 第25-28页 |
| 2.6 实验方案的选择 | 第28-30页 |
| 2.7 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 锗单晶片表面腐蚀研究 | 第31-52页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 实验操作 | 第31-33页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第33-51页 |
| 3.3.1 腐蚀温度对于表面化学腐蚀抛光的影响 | 第33-39页 |
| 3.3.2 腐蚀液成分配比对于表面化学腐蚀抛光的影响 | 第39-48页 |
| 3.3.3 腐蚀时间对于表面化学腐蚀抛光的影响 | 第48-51页 |
| 3.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 锗单晶切割片损伤层及位错研究 | 第52-56页 |
| 4.1 引言 | 第52页 |
| 4.2 实验部分 | 第52-53页 |
| 4.3 损伤层分析 | 第53页 |
| 4.4 位错计算 | 第53-55页 |
| 4.5 本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 结论与展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-63页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |