| 中文摘要 | 第4-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-28页 |
| 1.1 新能源的发展综述 | 第13-15页 |
| 1.2 太阳能电池结构、工作原理 | 第15-17页 |
| 1.3 太阳能电池的材料 | 第17-18页 |
| 1.3.1 单晶硅和多晶硅 | 第17-18页 |
| 1.3.2 类单晶 | 第18页 |
| 1.4 类单晶的研究现状 | 第18-25页 |
| 1.4.1 类单晶硅生产工艺 | 第19页 |
| 1.4.2 籽晶间位错产生 | 第19-20页 |
| 1.4.3 红区形成理论综述 | 第20-25页 |
| 1.5 本文的研究背景及内容 | 第25-28页 |
| 1.5.1 研究背景 | 第25页 |
| 1.5.2 硅锭生长研究内容 | 第25-26页 |
| 1.5.3 类单晶硅制绒技术研究 | 第26-28页 |
| 第二章 硅锭生长原理、工艺及设备 | 第28-45页 |
| 2.1 晶体生长理论基础 | 第28-37页 |
| 2.1.1 形成过冷度，释放潜热 | 第28-29页 |
| 2.1.2 形核 | 第29-33页 |
| 2.1.3 晶体传热 | 第33-35页 |
| 2.1.4 晶体定向生长传热的控制 | 第35-37页 |
| 2.2 晶体生长工艺 | 第37-39页 |
| 2.2.1 单晶生长工艺 | 第37-38页 |
| 2.2.2 多晶生长工艺 | 第38-39页 |
| 2.3 定向凝固法及GT多晶铸锭炉 | 第39-45页 |
| 2.3.1 定向凝铸法 | 第39-41页 |
| 2.3.2 G6-850双电源多晶铸锭炉 | 第41-43页 |
| 2.3.3 炉内热场传热基本规律 | 第43-45页 |
| 第三章 定向凝铸法制备多晶硅工艺研究 | 第45-61页 |
| 3.1 引言 | 第45页 |
| 3.2 多晶硅低缺陷密度定向凝铸实验 | 第45-46页 |
| 3.3 实验结果与分析 | 第46-51页 |
| 3.4 缓冲式籽晶熔化控制技术对硅锭质量的影响与分析 | 第51-59页 |
| 3.4.1 实验设计 | 第52-54页 |
| 3.4.2 实验结果与分析 | 第54-59页 |
| 3.5 总结 | 第59-61页 |
| 第四章 定向凝铸法制备类单晶硅锭工艺研究 | 第61-83页 |
| 4.1 引言 | 第61-62页 |
| 4.2 块状籽晶铸锭工艺研究与分析 | 第62-67页 |
| 4.2.1 类单晶硅片PL测试分析 | 第63-66页 |
| 4.2.2 基于块状籽晶的类单晶少子寿命分析 | 第66-67页 |
| 4.3 板状籽晶类单晶铸锭实验 | 第67-72页 |
| 4.3.1 数值模拟籽晶板承重形变影响 | 第67-69页 |
| 4.3.2 基于板状籽晶类单晶定向凝铸实验 | 第69-72页 |
| 4.4 实验结果与分析 | 第72-76页 |
| 4.4.1 PL测试分析 | 第72-74页 |
| 4.4.2 板状籽晶少子寿命分布 | 第74-76页 |
| 4.5 类单晶铸锭工艺对类单晶硅锭性能的影响 | 第76-79页 |
| 4.6 凹陷式类单晶缓冲籽晶熔化控制技术工艺 | 第79-82页 |
| 4.7 小结 | 第82-83页 |
| 第五章 定向凝铸法红区形成机理研究 | 第83-92页 |
| 5.1 引言 | 第83-84页 |
| 5.2 实验 | 第84页 |
| 5.3 红区形成与工艺温度的关系 | 第84-89页 |
| 5.3.1 红区高度与工艺温度的关系 | 第84-86页 |
| 5.3.2 红区形成原理 | 第86-89页 |
| 5.4 红区改善工艺研究 | 第89-91页 |
| 5.4.1 长晶工艺对硅锭红区的影响 | 第89-90页 |
| 5.4.2 装料方式对硅锭红区改善的影响 | 第90-91页 |
| 5.5 小结 | 第91-92页 |
| 第六章 高效类单晶太阳能电池研究 | 第92-102页 |
| 6.1 引言 | 第92-93页 |
| 6.2 实验 | 第93-94页 |
| 6.3 实验结果与讨论 | 第94-101页 |
| 6.4 小结 | 第101-102页 |
| 第七章 总结 | 第102-104页 |
| 参考文献 | 第104-115页 |
| 博士期间成果 | 第115-116页 |
| 致谢 | 第116-117页 |