| 摘要 | 第4-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-42页 |
| 1.1 固体中的孪晶界 | 第14-22页 |
| 1.2 二维材料中的缺陷 | 第22-32页 |
| 1.3 本文的研究内容 | 第32-34页 |
| 参考文献 | 第34-42页 |
| 第二章 第一性原理与计算方法 | 第42-61页 |
| 2.1 材料计算介绍 | 第42-43页 |
| 2.2 密度泛函理论与能带结构计算 | 第43-53页 |
| 2.2.1 密度泛函理论 | 第43-50页 |
| 2.2.2 固体能带理论 | 第50-52页 |
| 2.2.3 数值计算方法 | 第52-53页 |
| 2.3 第一性分子动力学 | 第53-56页 |
| 2.4 Nudged Elastic Band方法 | 第56-57页 |
| 2.5 第一性计算软件 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-61页 |
| 第三章 硅孪晶界诱导的电子结构和光学性质的第一性原理计算 | 第61-80页 |
| 3.1 引言 | 第61-62页 |
| 3.2 模型和计算 | 第62-64页 |
| 3.3 结果和讨论 | 第64-74页 |
| 3.3.1 电子结构 | 第64-68页 |
| 3.3.2 光学性质 | 第68-74页 |
| 3.4 本章小结 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-80页 |
| 第四章 光学方法鉴定单层砷烯中拓扑缺陷的类型：第一性原理计算 | 第80-99页 |
| 4.1 引言 | 第80-81页 |
| 4.2 模型和方法 | 第81页 |
| 4.3 结果和讨论 | 第81-96页 |
| 4.3.1 缺陷结构 | 第81-84页 |
| 4.3.2 缺陷热力学稳定性 | 第84-87页 |
| 4.3.3 光学性质 | 第87-91页 |
| 4.3.4 电子结构 | 第91-96页 |
| 4.4 本章小结 | 第96-97页 |
| 参考文献 | 第97-99页 |
| 第五章 结论与展望 | 第99-101页 |
| 5.1 结论 | 第99-100页 |
| 5.2 展望 | 第100-101页 |
| 致谢 | 第101-103页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文目录 | 第103-104页 |
