微尺度下单晶硅疲劳失效机理的分子动力学模拟研究

摘要	第1-12页
Abstract	第12-15页
第一章 绪论	第15-35页
·研究背景及意义	第15-16页
·MEMS可靠性研究概述	第16-18页
·MEMS的基本特点	第16-17页
·MEMS可靠性的研究需求	第17-18页
·MEMS可靠性研究的主要内容	第18页
·硅微结构疲劳失效研究现状	第18-31页
·硅微结构疲劳实验系统	第19-20页
·硅微结构疲劳失效的实验研究	第20-24页
·硅微结构疲劳失效机理的研究	第24-28页
·硅微结构疲劳寿命建模与预测研究	第28-29页
·硅微结构疲劳失效研究的总体评述	第29-30页
·疲劳失效的原子级建模的相关研究现状与分析	第30-31页
·研究思路与内容安排	第31-35页
·研究思路	第31-33页
·内容安排	第33-35页
第二章 分子动力学模拟基本理论	第35-47页
·分子动力学模拟概述	第35-37页
·分子模拟	第35-36页
·分子动力学模拟的基本原理	第36-37页
·分子动力学模拟的主要步骤	第37-40页
·经典分子动力学模拟的基本流程	第37页
·分子动力学模拟运动方程的求解	第37-38页
·统计系综	第38-39页
·体系边界条件	第39-40页
·势函数和反应场分子动力学模拟	第40-41页
·经验势函数力场	第40-41页
·反应场分子动力学模拟	第41页
·分子动力学模拟常用软件简介	第41-46页
·分子动力学模拟代码LAMMPS介绍	第42-45页
·分子动力学模拟相关的第三方工具简介	第45-46页
·本章小结	第46-47页
第三章 硅微结构静强度的影响因素及影响机理	第47-62页
·潮湿对二氧化硅静强度的分子动力学模拟	第47-56页
·引言	第47-48页
·模拟方法	第48-50页
·结果与讨论	第50-55页
·结论	第55-56页
·潮湿对含表面氧化层的硅微结构静强度的影响	第56-61页
·引言	第56页
·模拟方法	第56-58页
·结果和讨论	第58-61页
·结论	第61页
·本章小结	第61-62页
第四章 硅微结构的静疲劳影响因素及机理	第62-83页
·二氧化硅在潮湿环境的静疲劳机理	第62-71页
·引言	第62-63页
·模拟方法	第63-65页
·结果和讨论	第65-70页
·结论	第70-71页
·含表面氧化层的单晶硅的静疲劳过程模拟	第71-76页
·引言	第71-72页
·模拟方法	第72-73页
·结果和讨论	第73-76页
·恒定应力下单晶硅的室温氧化过程的模拟	第76-80页
·引言	第76页
·模拟方法	第76-78页
·结果和讨论	第78-79页
·结论	第79-80页
·单晶硅静疲劳机理讨论	第80-81页
·本章小结	第81-83页
第五章 硅微结构循环疲劳失效的影响因素及机理	第83-101页
·单晶硅在真空中的循环疲劳模拟	第83-85页
·模拟方法	第83页
·结果分析	第83-85页
·循环应力对单晶硅的室温氧化过程的影响模拟	第85-96页
·引言	第85页
·模拟方法	第85-86页
·结果和讨论	第86-96页
·单晶硅的疲劳机理讨论	第96-99页
·单晶硅循环疲劳机理阐述	第96-97页
·新的单晶硅循环疲劳机理的特点分析	第97-98页
·单晶硅循环疲劳机理对已有实验结果的解释	第98-99页
·本章小结	第99-101页
第六章 实验验证	第101-109页
·硅微结构拉伸实验系统	第101-104页
·试样结构设计和加工	第101-103页
·微结构片外拉伸测试装置	第103-104页
·硅微结构拉伸和静疲劳实验	第104-108页
·实验过程	第104-106页
·实验结果分析	第106-108页
·本章小结	第108-109页
第七章 结论与展望	第109-114页
·研究结论	第109-111页
·研究展望	第111-114页
致谢	第114-116页
参考文献	第116-127页
作者在学期间取得的学术成果	第127-128页