大直径区熔硅单晶的研究与制备
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| ·硅单晶的基本性质 | 第9-10页 |
| ·硅单晶的晶体结构 | 第9页 |
| ·硅单晶的力学性能 | 第9-10页 |
| ·硅单晶生长方法简介 | 第10-12页 |
| ·直拉法 | 第10-11页 |
| ·区熔法 | 第11页 |
| ·直拉法和区熔法比较 | 第11-12页 |
| ·区熔硅单晶材料发展现状及预测 | 第12-15页 |
| ·区熔硅单晶材料发展现状 | 第12-13页 |
| ·区熔硅单晶未来发展预测 | 第13-15页 |
| ·课题介绍 | 第15-18页 |
| ·课题意义 | 第15页 |
| ·课题目标 | 第15页 |
| ·课题设计 | 第15-18页 |
| ·本章小结 | 第18-19页 |
| 第二章 区熔硅单晶的制备 | 第19-29页 |
| ·区熔硅单晶的设备介绍 | 第19-22页 |
| ·区熔炉介绍 | 第19-21页 |
| ·热处理设备 | 第21-22页 |
| ·区熔硅单晶的制备 | 第22-25页 |
| ·本征区熔硅单晶的生长 | 第22-24页 |
| ·区熔硅单晶热处理 | 第24-25页 |
| ·区熔硅单晶测试 | 第25-28页 |
| ·测试样品要求 | 第26页 |
| ·硅单晶测试 | 第26-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 大直径区熔硅单晶生长技术研究 | 第29-44页 |
| ·关键技术和难点分析 | 第29-30页 |
| ·大直径区熔硅单晶中的应力 | 第30-37页 |
| ·热场优化 | 第31-35页 |
| ·工艺参数优化 | 第35-37页 |
| ·多晶硅棒料的化料改善 | 第37-40页 |
| ·硅刺的产生 | 第37-38页 |
| ·硅刺的消除 | 第38-40页 |
| ·区熔硅单晶的RRV | 第40-43页 |
| ·区熔硅单晶的RRV分析 | 第40页 |
| ·区熔硅单晶RRV改善 | 第40-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 大直径区熔硅单晶的热处理工艺研究 | 第44-52页 |
| ·技术关键及难点分析 | 第44-45页 |
| ·NTD技术介绍及样品要求 | 第45-47页 |
| ·NTD技术介绍 | 第45-46页 |
| ·NTD对原始硅单晶的要求 | 第46-47页 |
| ·NTD硅单晶热处理工艺研究 | 第47-50页 |
| ·金属沾污控制 | 第47-48页 |
| ·热处理工艺 | 第48-50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 第五章 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 攻读硕士期间取得的成果 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58页 |
