当前位置：
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
智能功率驱动芯片用SOI-LIGBT关断特性的研究与优化
600V增强型GaN HEMT器件研究及设计
SiC基VDMOS器件UIS应力退化机理及寿命模型研究
550V厚膜SOI-LIGBT热载流子退化机理及寿命模型研究
高能劳厄单色器晶体压弯机构的优化设计
水分子诱导氢终止硅的老化及荧光光谱红移的理论研究
基于磷光染料掺杂荧光主体OLED发光层薄膜电输运特性导纳法研究
基于纳米结构增强LED发光效率的研究
高In组分InGaN化合物半导体的生长与表征
智能功率驱动芯片IGBT栅极控制方法研究与实现
功率集成器件热载流子退化测试系统设计及实现
盖革模式雪崩光电二极管淬灭电路设计
电力半导体功率模块应用失效分析研究
基于表面势的多晶硅纳米线晶体管直流（DC）紧凑模型的研究
半导体芯片用多晶硅材料提纯新工艺物理冶金三步法
基于PMAC引线键合轨迹规划研究
稀土Eu、Nd、Y掺杂氧化物半导体CuAlO2的制备及性能研究
基于芬顿反应的单晶SiC化学机械抛光液研究
多头式平面LED固晶机结构设计
全氧化物PN结和多铁隧道结的制备与性能研究
蓝色有机电致发光器件的结构优化与发光性能提高的研究
二维黑磷材料红外太赫兹光电性质研究
复合电极互补型电致变色器件的制备与性能研究
CdSe@ZnS量子点发光二极管的结构设计及其光电性能研究
二氧化钛/大尺寸多孔窄带隙半导体复合材料制备及其可见光催化性能研究
掺铒富硅氮氧化硅的敏化发光研究
直拉硅中氧相关缺陷的研究
低维ZnO杂质缺陷行为及p型掺杂研究
有机电致发光器件中电子—空穴对的自旋混合过程及磁效应分析
In2O3基稀磁半导体薄膜的离子注入制备和特性研究
原子层沉积方法制备非极性面ZnO基电致发光器件及其物性研究
表面等离子体增强氧化锌回音壁模微腔受激辐射的研究
湿法双极小分子主体材料的设计合成及器件研究
基于金刚烷桥连的高能隙有机电致磷光主体材料的合成及其性能研究
仿神经元突触行为的碳纳米管晶体管制备技术的研究
划片机精密测高系统的设计
低压高性能单色磷光铱配合物有机发光二极管的湿法制备及其相关材料研究
抗辐射VDMOS器件的研究与设计
550V厚膜SOI-LIGBT器件可靠性研究
砷化镓近红外光致发光的核酸调控和生物传感研究
光栅光刻机干涉条纹周期和波前的测量与控制研究
一种线性模式雪崩光电二极管的接口电路设计
远程荧光粉LED背光板的设计与优化
非极性与半极性GaN基氮化物的外延生长及表征研究
压电复合结构中弹性波传播特性分析及其在高性能声波器件中的应用研究
小分子近红外光敏有机场效应管研究
MgO材料电子结构和光学性质研究
非极性GaN材料的MOCVD生长及表征
300mm硅片化学机械抛光工艺参数研究
铜单晶衬底上GaN薄膜的ECR-PEMOCVD低温生长研究
上一页
[86]
[87]
[88]
[89]
[90]
下一页
