| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| CONTENTS | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-22页 |
| 1.1 课题的来源和意义 | 第12-15页 |
| 1.1.1 课题的来源 | 第12页 |
| 1.1.2 课题研究的背景及意义 | 第12-15页 |
| 1.2 单晶SiC的超精密加工现状综述 | 第15-19页 |
| 1.2.1 单晶SiC简介 | 第15-17页 |
| 1.2.2 单晶SiC的化学机械抛光技术研究现状 | 第17-19页 |
| 1.3 芬顿反应在SiC单晶CMP过程中的作用研究 | 第19-21页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第21-22页 |
| 第二章 实验设备与材料及研究方法 | 第22-27页 |
| 2.1 实验设备及材料 | 第22-24页 |
| 2.1.1 实验加工设备 | 第22-23页 |
| 2.1.2 实验化学药品及耗材 | 第23-24页 |
| 2.2 实验仪器及检测方法 | 第24-25页 |
| 2.3 实验方法及实验步骤设计 | 第25-26页 |
| 2.3.1 SiC单晶片抛光前的准备工作 | 第25页 |
| 2.3.2 SiC单晶片的抛光加工实验 | 第25-26页 |
| 2.3.3 实验结果的检测及评价 | 第26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 芬顿反应在单晶SiC化学机械抛光中的作用过程研究 | 第27-42页 |
| 3.1 引言 | 第27页 |
| 3.2 芬顿反应应用于SiC单晶片有效性实验研究 | 第27-32页 |
| 3.3 芬顿反应试剂对单晶SiC材料CMP的机理研究 | 第32-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 基于芬顿反应的SiC抛光基液铁催化剂研究 | 第42-56页 |
| 4.1 引言 | 第42页 |
| 4.2 不同体系的芬顿试剂介绍和优缺点对比 | 第42-43页 |
| 4.3 不同体系芬顿试剂中Fe催化剂的比较和优化 | 第43-53页 |
| 4.4 不同Fe催化剂抛光效果效率的机理分析 | 第53-55页 |
| 4.5 本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 单晶SiC芬顿体系抛光液组分优化 | 第56-70页 |
| 5.1 引言 | 第56页 |
| 5.2 CMP抛光液各组分对抛光效果的影响分析 | 第56-59页 |
| 5.3 CMP抛光液各组分的试验研究和优选 | 第59-69页 |
| 5.3.1 磨料粒子的种类对SiC晶片抛光结果的影响 | 第59-62页 |
| 5.3.2 磨粒的粒径对SiC晶片CMP结果的影响 | 第62-65页 |
| 5.3.3 磨粒含量对SiC晶片CMP结果的影响 | 第65-66页 |
| 5.3.4 抛光液pH值对SiC晶片CMP结果的影响 | 第66-67页 |
| 5.3.5 分散剂种类及含量对SiC晶片CMP结果的影响 | 第67-69页 |
| 5.4 本章小结 | 第69-70页 |
| 总结与展望 | 第70-73页 |
| 参考文献 | 第73-77页 |
| 攻读学位期间发表的论文 | 第77-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
