| 摘要 | 第9-10页 |
| Abstract | 第10-11页 |
| 引言 | 第12-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-26页 |
| 1.1 ZnO的基本物理性质 | 第15-22页 |
| 1.1.1 ZnO的晶体结构 | 第15-16页 |
| 1.1.2 ZnO的晶格缺陷 | 第16-17页 |
| 1.1.3 ZnO的电学性质 | 第17-18页 |
| 1.1.4 ZnO的光学性质 | 第18-20页 |
| 1.1.5 ZnO的极化效应 | 第20-22页 |
| 1.2 异质结光电器件 | 第22-26页 |
| 1.2.1 半导体异质结的基本特性 | 第23-24页 |
| 1.2.2 半导体异质结与光电器件 | 第24-26页 |
| 第二章 材料生长设备及表征手段 | 第26-44页 |
| 2.1 原子层沉积 | 第26-36页 |
| 2.1.1 原子层沉积技术简介 | 第26-27页 |
| 2.1.2 原子层沉积技术的基本原理 | 第27-30页 |
| 2.1.3 原子层沉积生长的特点 | 第30-34页 |
| 2.1.4 原子层沉积设备的结构 | 第34-36页 |
| 2.2 高分辨X射线衍射 | 第36-38页 |
| 2.3 透射电子显微镜 | 第38-42页 |
| 2.4 光致发光 | 第42-44页 |
| 第三章 ALD沉积ZnO薄膜的生长特性 | 第44-60页 |
| 3.1 ZnO薄膜的ALD制备工艺 | 第44-46页 |
| 3.2 ALD方法制备的ZnO薄膜的电学性质 | 第46-47页 |
| 3.3 ALD方法制备的ZnO薄膜的晶体结构 | 第47-58页 |
| 3.3.1 以GaN作为基底 | 第47-54页 |
| 3.3.2 以非晶材料和Si作为基底 | 第54-58页 |
| 3.4 小结 | 第58-60页 |
| 第四章 非极性m面ZnO基电泵浦随机激光器件 | 第60-70页 |
| 4.1 引言 | 第60-61页 |
| 4.2 非极性m面ZnO外延薄膜 | 第61-65页 |
| 4.2.1 XRD结果分析 | 第62页 |
| 4.2.2 TEM结果分析 | 第62-64页 |
| 4.2.3 XPS结果分析 | 第64-65页 |
| 4.3 m面ZnO基MIS器件的随机激光辐射 | 第65-69页 |
| 4.3.1 MIS器件的PL结果分析 | 第66-67页 |
| 4.3.2 MIS器件的EL结果分析 | 第67-69页 |
| 4.4 小结 | 第69-70页 |
| 第五章 非极性面n-ZnO/AlN/p-Si准白光LED | 第70-82页 |
| 5.1 引言 | 第70-71页 |
| 5.2 非极性m面n-ZnO/AlN/p-Si异质结的制备与表征 | 第71-76页 |
| 5.2.1 异质结XRD结果分析 | 第72页 |
| 5.2.2 异质结的能带定位 | 第72-76页 |
| 5.3 n-ZnO/AlN/p-Si异质结LED的性能 | 第76-80页 |
| 5.3.1 异质结Ⅰ-Ⅴ结果分析 | 第76-77页 |
| 5.3.2 异质结EL结果分析 | 第77-79页 |
| 5.3.3 异质结PL结果分析 | 第79-80页 |
| 5.4 小结 | 第80-82页 |
| 第六章 总结与展望 | 第82-84页 |
| 6.1 主要研究成果 | 第82-83页 |
| 6.2 展望 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-97页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第97-99页 |
| 致谢 | 第99页 |
