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CdSe@ZnS量子点发光二极管的结构设计及其光电性能研究

摘要第5-8页
ABSTRACT第8-9页
第一章 绪论第12-28页
    1.1 引言第12页
    1.2 量子点材料概述第12-20页
        1.2.1 量子点的制备第13-16页
        1.2.2 量子点的分类及能级结构第16-18页
        1.2.3 量子点的发光原理及光电性能第18-20页
    1.3 核-壳结构量子点的应用第20-24页
        1.3.1 量子点在传感器中的应用第20-22页
        1.3.2 量子点在生物和医药领域的应用第22页
        1.3.3 量子点在发光器件中的应用第22-24页
    1.4 发光二极管的结构和发光机理第24-26页
        1.4.1 有机发光二极管的结构第24-25页
        1.4.2 QLED的发光机理第25-26页
    1.5 本论文的研究目的和意义第26-28页
第二章 CdSe@ZnS和CH_3NH_3Br_3量子点的制备第28-46页
    2.1 CdSe@ZnS和CH_3NH_3Br_3量子点的制备方法第29-31页
        2.1.1 实验原料第29页
        2.1.2 CdS@ZnS胶体量子点的制备第29-30页
        2.1.3 CH_3NH_3Br_3量子点的制备第30-31页
    2.2 表征方法第31-33页
        2.2.1 荧光性能测试第31页
        2.2.2 X-ray diffraction (XRD)表征第31-32页
        2.2.3 紫外-可见吸收光谱表征第32页
        2.2.4 透射电子显微镜(TEM)表征第32页
        2.2.5 扫描电子显微镜(SEM)表征第32-33页
    2.3 结果与讨论第33-45页
        2.3.1 量子点的荧光性能分析第33-35页
        2.3.2 XRD图谱分析第35-38页
        2.3.3 紫外-可见透射光谱 (UV-Vis)第38-39页
        2.3.4 量子点的荧光寿命和量子产率分析第39-43页
        2.3.5 量子点的形貌和粒径分析(透射电子显微镜表征)第43-45页
    2.4 本章小结第45-46页
第三章 基于有机载流子传输层的QLED器件组装第46-54页
    3.1 溶液法组装QLED发光二极管第46-48页
        3.1.1 实验原料第46-47页
        3.1.2 实验过程第47-48页
    3.2 电极及掩膜板的结构设计第48-49页
    3.3 QLED器件组装和性能测试第49-52页
        3.3.1 器件组装第49-51页
        3.3.2 光电性能测试第51-52页
        3.3.3 发光性能表征第52页
    3.4 本章小结第52-54页
第四章 基于NiO空穴传输层的QLED器件组装第54-62页
    4.1 制备NiO空穴传输层第54-56页
        4.1.1 实验原料第54-55页
        4.1.2 实验过程第55-56页
    4.2 两种不同方法制备的NiO薄膜的性能表征和分析第56-59页
        4.2.1 场发射扫描电镜分析第56页
        4.2.2 XRD图谱分析第56-58页
        4.2.3 紫外-可见透射光谱分析第58-59页
    4.3 QLED器件组装和性能测试第59-61页
        4.3.1 器件电极及掩膜版的结构设计第59页
        4.3.2 器件组装第59-60页
        4.3.3 发光性能表征第60-61页
    4.4 本章小结第61-62页
全文总结第62-64页
参考文献第64-70页
附录:攻读硕士期间获得成果第70-71页
致谢第71页

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