| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 前言 | 第9-13页 |
| 1.2 GaN基LED概述 | 第13-16页 |
| 1.2.1 研究意义 | 第13-14页 |
| 1.2.2 国内外研究现状 | 第14-16页 |
| 第二章 GaN基LED理论基础 | 第16-37页 |
| 2.1 Ⅲ族氮化物半导体材料的性质 | 第17-20页 |
| 2.1.1 Ⅲ族氮化物材料 | 第17-18页 |
| 2.1.2 氮化物材料的晶格常数和禁带宽度 | 第18页 |
| 2.1.3 GaN和AlGaN的电子迁移率 | 第18-20页 |
| 2.2 纳米材料结构 | 第20-22页 |
| 2.3 电子阻挡层 | 第22-24页 |
| 2.4 量子阱结构及其电子能态与特性 | 第24-31页 |
| 2.4.1 单量子阱结构 | 第24-28页 |
| 2.4.2 多量子阱结构 | 第28-31页 |
| 2.5 效率下降现象 | 第31-37页 |
| 2.5.1 极化效应导致的电子泄露 | 第32-33页 |
| 2.5.2 载流子传输导致的电子泄露 | 第33-35页 |
| 2.5.3 Auger复合效应 | 第35-37页 |
| 第三章 APSYS软件理论基础 | 第37-46页 |
| 3.1 基本方程 | 第37-39页 |
| 3.2 边界条件 | 第39-41页 |
| 3.3 时变行波方程 | 第41-42页 |
| 3.3.1 耦合模理论 | 第41-42页 |
| 3.3.2 光放大模型 | 第42页 |
| 3.4 法布里-伯罗腔模型 | 第42-46页 |
| 第四章 增强GaN基LED发光效率的研究 | 第46-69页 |
| 4.1 优化LED主动区结构设计提高LED器件性能 | 第46-62页 |
| 4.2 InGaN/AlGaN/GaN电子阻挡层提高LED性能 | 第62-68页 |
| 4.3 本章小结 | 第68-69页 |
| 结论 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-75页 |
| 致谢 | 第75页 |