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智能功率驱动芯片用SOI-LIGBT关断特性的研究与优化

摘要第5-6页
Abstract第6页
第一章 绪论第10-20页
    1.1 智能功率驱动芯片概述第10-12页
        1.1.1 智能功率驱动芯片介绍第10-11页
        1.1.2 LIGBT器件在智能功率驱动芯片中的应用第11-12页
    1.2 国内外研究现状第12-16页
        1.2.1 LIGBT关断时间国内外研究现状第12-16页
        1.2.2 研究现状总结与发展趋势第16页
    1.3 论文研究内容及意义第16-18页
        1.3.1 研究内容第16-17页
        1.3.2 设计指标第17-18页
    1.4 论文组织结构第18-20页
第二章 厚膜SOI-LIGBT器件工作原理第20-34页
    2.1 结构特点与优势第20-22页
        2.1.1 厚膜SOI-LIGBT器件的结构特点第20-21页
        2.1.2 厚膜SOI-LIGBT器件的优势第21-22页
    2.2 静态参数特性分析第22-26页
        2.2.1 雪崩击穿电压第22-25页
        2.2.2 阈值电压第25页
        2.2.3 电流能力第25-26页
    2.3 开关特性分析第26-29页
        2.3.1 开启过程第27-28页
        2.3.2 关断过程第28-29页
        2.3.3 开关损耗占比问题第29页
    2.4 其他特性分析第29-32页
        2.4.1 抗闩锁能力第30页
        2.4.2 电流回跳问题第30-32页
    2.5 本章小结第32-34页
第三章 厚膜SOI-LIGBT器件的关断特性研究第34-52页
    3.1 传统厚膜SOI-LIGBT器件关断过程载流子分布第34-47页
        3.1.1 关断前载流子的分布情况第41-42页
        3.1.2 关断过程中耗尽层展宽的过程第42-45页
        3.1.3 关断过程中载流子的分布情况第45页
        3.1.4 关断过程中载流子的流动路径第45-47页
        3.1.5 关断过程中载流子的复合情况第47页
    3.2 几种具有快速关断特性的结构第47-51页
        3.2.1 阳极短路结构仿真研究第47-48页
        3.2.2 分段阳极结构仿真研究第48-49页
        3.2.3 集电极端P+/P-结构仿真研究第49-50页
        3.2.4 双栅结构仿真研究第50-51页
    3.3 本章小结第51-52页
第四章 快关断厚膜SOI-LIGBT器件的优化设计第52-68页
    4.1 具有沟槽隔离阳极短路结构的厚膜SOI-LIGBT器件第52-53页
        4.1.1 具有沟槽隔离阳极短路结构的厚膜SOI-LIGBT器件特点第52页
        4.1.2 具有沟槽隔离阳极短路结构的厚膜SOI-LIGBT器件原理第52-53页
    4.2 基本结构参数设计第53-61页
        4.2.1 耐压能力设计第53-57页
        4.2.2 阈值电压设计第57-58页
        4.2.3 电流能力设计第58-59页
        4.2.4 抗闩锁能力设计第59-60页
        4.2.5 基本参数确定第60-61页
    4.3 关断特性优化设计第61-67页
        4.3.1 具有沟槽隔离阳极短路结构的厚膜SOI-LIGBT器件的工作原理仿真分析第62-64页
        4.3.2 W_a和W_c对器件关断时间、电流密度和snapback电压的影响第64-65页
        4.3.3 W_t对器件器件关断时间、电流密度和snapback电压的影响第65页
        4.3.4 L_a对器件电流密度及关断时间的影响第65-66页
        4.3.5 W_n和W_p对器件关断时间和电流密度的影响第66-67页
        4.3.6 最终器件尺寸第67页
    4.4 本章小结第67-68页
第五章 厚膜SOI-LIGBT器件的流片验证与测试分析第68-76页
    5.1 厚膜SOI-LIGBT器件的工艺流程设计第68-69页
    5.2 具有沟槽隔离阳极短路结构的厚膜SOI-LIGBT器件的版图设计第69-70页
    5.3 具有沟槽隔离阳极短路结构的厚膜SOI-LIGBT器件的测试结果第70-74页
        5.3.1 器件耐压测试结果第71页
        5.3.2 器件阈值电压测试结果第71-72页
        5.3.3 器件电流能力测试结果第72-73页
        5.3.4 器件关断时间测试结果第73页
        5.3.5 器件抗闩锁能力测试结果第73-74页
    5.4 本章小结第74-76页
第六章 总结与展望第76-78页
    6.1 总结第76-77页
    6.2 展望第77-78页
致谢第78-80页
参考文献第80-84页
攻读硕士期间发表的论文和专利第84页

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