| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第8-24页 |
| 1.1. 厚膜SOI工艺的优势 | 第8-14页 |
| 1.2. 厚膜SOI-LIGBT的发展 | 第14-17页 |
| 1.3. 厚膜SOI-LIGBT可靠性问题及研究现状 | 第17-21页 |
| 1.4. 本文主要工作及创新 | 第21-24页 |
| 第二章 550V厚膜SOI-LIGBT的设计与制备 | 第24-40页 |
| 2.1. 厚膜SOI-LIGBT的结构设计 | 第24-32页 |
| 2.2. 厚膜SOI-LIGBT的版图设计 | 第32-37页 |
| 2.3. 厚膜SOI-LIGBT的制备及特性分析 | 第37-38页 |
| 2.4. 本章小结 | 第38-40页 |
| 第三章 550V厚膜SOI-LIGBT的ESD可靠性研究 | 第40-72页 |
| 3.1. SOI-LIGBT的ESD冲击及其研究方法 | 第40-42页 |
| 3.2. SOI-LIGBT的ESD响应特性 | 第42-49页 |
| 3.3. 结构参数对ESD响应特性的影响 | 第49-60页 |
| 3.4. SOI-LIGBT的ESD响应特性建模 | 第60-67页 |
| 3.5. 高鲁棒性SOI-LIGBT器件新结构研究 | 第67-69页 |
| 3.6. 本章小结 | 第69-72页 |
| 第四章 550V厚膜SOI-LIGBT的HCI可靠性研究 | 第72-102页 |
| 4.1. SOI-LIGBT最坏HCI应力及退化机理研究 | 第72-82页 |
| 4.2. SOI-LIGBT阳极电压对HCI可靠性的影响 | 第82-85页 |
| 4.3. SOI-LIGBT器件结构参数对HCI可靠性的影响 | 第85-90页 |
| 4.4. SOI-LIGBT器件HCI退化寿命模型研究 | 第90-95页 |
| 4.5. 高HCI可靠性SOI-LIGBT新结构研究 | 第95-99页 |
| 4.6. 本章小结 | 第99-102页 |
| 第五章 550V厚膜SOI-LIGBT的闩锁可靠性研究 | 第102-120页 |
| 5.1. SOI-LIGBT闩锁机理分析及闩锁电压建模 | 第102-107页 |
| 5.2. SOI-LIGBT结构参数对闩锁特性的影响 | 第107-113页 |
| 5.3. 温度对SOI-LIGBT闩锁可靠性的影响 | 第113-116页 |
| 5.4. 高抗闩锁能力SOI-LIGBT新结构研究 | 第116-118页 |
| 5.5. 本章小结 | 第118-120页 |
| 第六章 总结与展望 | 第120-124页 |
| 6.1. 总结 | 第120-121页 |
| 6.2. 展望 | 第121-124页 |
| 致谢 | 第124-126页 |
| 参考文献 | 第126-134页 |
| 博士期间研究成果 | 第134-135页 |
