| 摘要 | 第3-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 1 绪论 | 第16-31页 |
| 1.1 研究的背景和意义 | 第16-22页 |
| 1.2 多晶硅纳米线晶体管器件模型的研究现状 | 第22-27页 |
| 1.2.1 单栅多晶硅SOI晶体管紧凑模型 | 第23-24页 |
| 1.2.2 双栅多晶硅纳米线晶体管紧凑模型 | 第24-25页 |
| 1.2.3 三栅多晶硅纳米线晶体管紧凑模型 | 第25页 |
| 1.2.4 围栅多晶硅纳米线晶体管紧凑模型 | 第25-26页 |
| 1.2.5 存在的主要问题 | 第26-27页 |
| 1.3 主要研究内容与结构 | 第27-30页 |
| 1.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 2 单栅多晶硅SOI晶体管的直流紧凑模型 | 第31-48页 |
| 2.1 引言 | 第31-32页 |
| 2.2 单栅多晶硅SOI晶体管表面势的非迭代求解 | 第32-43页 |
| 2.3 单栅多晶硅SOI晶体管的漏电流解析模型 | 第43-47页 |
| 2.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 3 双栅多晶硅纳米线晶体管的直流紧凑模型 | 第48-73页 |
| 3.1 引言 | 第48-49页 |
| 3.2 双栅多晶硅纳米线晶体管表面势的非迭代求解 | 第49-68页 |
| 3.2.1 分区域近似法表面势的非迭代求解 | 第51-61页 |
| 3.2.2 有效电荷密度法表面势的非迭代求解 | 第61-68页 |
| 3.3 双栅多晶硅纳米线晶体管的漏电流模型 | 第68-72页 |
| 3.4 本章小结 | 第72-73页 |
| 4 三栅多晶硅纳米线晶体管的直流紧凑模型 | 第73-89页 |
| 4.1 引言 | 第73-74页 |
| 4.2 三栅多晶硅纳米线晶体管表面势的非迭代求解 | 第74-83页 |
| 4.2.1 三栅多晶硅纳米线晶体管的类单栅SOI晶体管表面势非迭代求解 | 第76-78页 |
| 4.2.2 三栅多晶硅纳米线晶体管的类双栅晶体管表面势非迭代求解 | 第78-79页 |
| 4.2.3 三栅多晶硅纳米线晶体管表面势的非迭代求解 | 第79-81页 |
| 4.2.4 三栅多晶硅纳米线晶体管表面势的非迭代算法验证 | 第81-83页 |
| 4.3 三栅多晶硅纳米线晶体管的漏电流解析模型 | 第83-88页 |
| 4.4 本章小结 | 第88-89页 |
| 5 围栅多晶硅纳米线晶体管的直流紧凑模型 | 第89-105页 |
| 5.1 引言 | 第89-91页 |
| 5.2 围栅多晶硅纳米线晶体管表面势的非迭代求解 | 第91-97页 |
| 5.3 围栅多晶硅纳米线晶体管的漏电流模型 | 第97-104页 |
| 5.4 本章小结 | 第104-105页 |
| 6 总结与展望 | 第105-108页 |
| 6.1 总结 | 第105-106页 |
| 6.2 展望 | 第106-108页 |
| 参考文献 | 第108-128页 |
| 附录I 围栅多晶硅纳米线晶体管ATLAS SILVACO仿真输入文件 | 第128-130页 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第130-132页 |
| 致谢 | 第132页 |
