| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3页 |
| 1 绪论 | 第6-17页 |
| 1.1 集成电路发展概况 | 第6-7页 |
| 1.2 国内外半导体芯片制造业现状 | 第7-8页 |
| 1.3 化学机械抛光技术 | 第8-11页 |
| 1.3.1 化学机械抛光技术简介 | 第8-9页 |
| 1.3.2 化学机械抛光技术在集成电路制造中应用 | 第9-10页 |
| 1.3.3 化学机械抛光技术的优点 | 第10-11页 |
| 1.4 化学机械抛光技术CMP的研究现状 | 第11-16页 |
| 1.4.1 化学机械抛光技术材料去除率及非均匀性 | 第11-12页 |
| 1.4.2 化学机械抛光材料去除率及非均匀性的相互影响 | 第12-16页 |
| 1.5 本论文的研究内容及目标 | 第16-17页 |
| 2 实验设计及实验平台 | 第17-24页 |
| 2.1 化学机械抛光试验环境 | 第17-18页 |
| 2.2 化学机械抛光实验机台总体说明 | 第18-19页 |
| 2.3 实验设备的主要部件介绍 | 第19-24页 |
| 2.3.1 抛光头 | 第19-20页 |
| 2.3.2 抛光平台 | 第20-21页 |
| 2.3.3 抛光垫修整器 | 第21页 |
| 2.3.4 抛光液输送臂 | 第21-23页 |
| 2.3.5 平面度量测机台 | 第23-24页 |
| 3 影响材料去除率及非均匀性的运动因素 | 第24-35页 |
| 3.1 转速对材料去除率及非均匀性的影响分析 | 第24-27页 |
| 3.1.1 抛光头和抛光平台转速 | 第25-26页 |
| 3.1.2 抛光头和抛光平台转速设计实验及结果 | 第26-27页 |
| 3.2 摆动参数对材料去除率及非均匀性的影响分析 | 第27-35页 |
| 3.2.1 抛光头摆动参数的影响 | 第27-28页 |
| 3.2.2 抛光头摆动参数设计实验及结果 | 第28-30页 |
| 3.2.3 抛光垫修整器器摆动参数的影响 | 第30-32页 |
| 3.2.4 抛光液输送臂位置的影响 | 第32-33页 |
| 3.2.5 抛光液输送臂位置的影响设计实验及结果 | 第33-35页 |
| 4 压力参数对材料去除率及非均匀性的影响分析 | 第35-42页 |
| 4.1 抛光头压力的影响 | 第35-36页 |
| 4.2 抛光垫调整器压力的影响 | 第36页 |
| 4.3 采用硅晶圆背压调整方法时的材料去除率及非均匀性 | 第36-38页 |
| 4.4 采用硅晶圆背面多区域压力调整方式选择 | 第38-39页 |
| 4.5 采用硅晶圆背压多区域压力控制设计实验及结果 | 第39-41页 |
| 4.6 本章小结 | 第41-42页 |
| 5 消耗品对化学机械抛光的影响 | 第42-50页 |
| 5.1 抛光垫的影响 | 第42-43页 |
| 5.2 抛光液的影响 | 第43-45页 |
| 5.3 抛光液流量及混合成分设计实验及结果 | 第45-46页 |
| 5.4 抛光垫调整器磨头的影响 | 第46-47页 |
| 5.5 本章小结及最佳参数选择 | 第47-50页 |
| 结论 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-53页 |
| 致谢 | 第53-55页 |
