| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 智能功率驱动芯片概述 | 第9-10页 |
| 1.2 栅极控制技术概述 | 第10-14页 |
| 1.2.1 栅极控制技术国内外研究现状 | 第11-14页 |
| 1.2.2 栅极控制技术发展趋势 | 第14页 |
| 1.3 研究内容与设计指标 | 第14-15页 |
| 1.3.1 研究内容 | 第14-15页 |
| 1.3.2 设计指标 | 第15页 |
| 1.4 本文论文组织 | 第15-17页 |
| 第二章 功率器件IGBT及其传统栅极控制技术分析 | 第17-27页 |
| 2.1 功率器件IGBT | 第17-22页 |
| 2.1.1 功率器件IGBT的发展 | 第17-18页 |
| 2.1.2 IGBT内部结构 | 第18-20页 |
| 2.1.3 IGBT开关特性 | 第20-22页 |
| 2.2 IGBT栅极控制要求 | 第22-23页 |
| 2.3 传统栅极控制技术存在的问题 | 第23-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 栅极控制技术中IGBT开关过冲和损耗分析 | 第27-33页 |
| 3.1 电流电压过冲产生机理分析 | 第27-29页 |
| 3.1.1 电流过冲 | 第27-28页 |
| 3.1.2 电压过冲 | 第28-29页 |
| 3.2 开关损耗分析 | 第29-31页 |
| 3.3 本章小结 | 第31-33页 |
| 第四章 闭环栅极控制技术设计与实现 | 第33-55页 |
| 4.1 闭环栅极控制技术概述 | 第33-35页 |
| 4.1.1 集电极电压V_(CE)或集电极电流I_C闭环控制技术 | 第33-34页 |
| 4.1.2 集电极电压梯度dv_C/dt或集电极电流梯度di_C/dt闭环控制技术 | 第34-35页 |
| 4.2 新型梯度调制闭环栅极控制技术原理与架构 | 第35-39页 |
| 4.2.1 梯度调制闭环栅极控制技术原理 | 第36-38页 |
| 4.2.2 梯度调制闭环栅极控制技术架构 | 第38-39页 |
| 4.3 梯度调制闭环栅极控制技术的电路设计 | 第39-45页 |
| 4.3.1 运算放大器设计 | 第39-41页 |
| 4.3.2 负压转换器设计 | 第41-42页 |
| 4.3.3 输出缓冲器设计 | 第42-44页 |
| 4.3.4 dv_C/dt和di_C/dt采样电路设计 | 第44-45页 |
| 4.4 梯度调制闭环栅极控制技术小信号分析 | 第45-48页 |
| 4.4.1 IGBT小信号等效电路及相关参数 | 第45-46页 |
| 4.4.2 梯度调制闭环控制技术小信号传递函数推导 | 第46-48页 |
| 4.5 梯度调制闭环栅极控制技术开关损耗分析 | 第48-51页 |
| 4.5.1 关断损耗分析 | 第48-49页 |
| 4.5.2 开通损耗分析 | 第49-51页 |
| 4.6 总体电路仿真分析 | 第51-53页 |
| 4.7 本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 芯片版图设计与测试 | 第55-65页 |
| 5.1 SOI-BCD工艺简介 | 第55-57页 |
| 5.2 版图设计 | 第57-58页 |
| 5.2.1 版图设计规则 | 第57-58页 |
| 5.2.2 电路版图 | 第58页 |
| 5.3 测试结果分析 | 第58-63页 |
| 5.3.1 双脉冲测试 | 第60-61页 |
| 5.3.2 关断电压过冲与关断损耗测试 | 第61-62页 |
| 5.3.3 开通电流过冲与开通损耗测试 | 第62-63页 |
| 5.4 本章小结 | 第63-65页 |
| 第六章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 6.1 总结 | 第65页 |
| 6.2 展望 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 硕士期间取得成果 | 第73页 |
