摘要 | 第7-11页 |
Abstract | 第11-16页 |
第1章 绪论 | 第17-39页 |
1.1 有机半导体材料 | 第17-18页 |
1.1.1 共轭的π键结构 | 第17页 |
1.1.2 杂化轨道与能带模型 | 第17-18页 |
1.2 有机电致发光器件 | 第18-23页 |
1.2.1 研究历程 | 第19-20页 |
1.2.2 器件结构与光化学机理 | 第20-21页 |
1.2.3 电子-空穴对的分类 | 第21-22页 |
1.2.4 电子-空穴对的自旋选择定则 | 第22-23页 |
1.3 有机磁效应 | 第23-24页 |
1.4 e-h对的自旋混合及磁效应 | 第24-33页 |
1.4.1 超精细相互作用 | 第24-28页 |
1.4.2 朗德g因子模型 | 第28页 |
1.4.3 自旋轨道耦合 | 第28-29页 |
1.4.4 陷阱机制 | 第29-30页 |
1.4.5 三重态-电荷相互作用 | 第30-31页 |
1.4.6 三重态激子聚变与单重态激子分裂 | 第31-33页 |
1.5 论文的选题背景与意义、研究目的、研究思路与内容 | 第33-39页 |
1.5.1 论文的选题背景与意义 | 第33页 |
1.5.2 论文的研究目的和思路 | 第33-34页 |
1.5.3 研究内容 | 第34-39页 |
第2章 有机电致发光器件的制备及其磁效应的测量 | 第39-49页 |
2.1 有机电致发光器件的制备技术 | 第39-47页 |
2.1.1 基片的清洗与前期准备 | 第39-41页 |
2.1.2 基片微波臭氧处理 | 第41页 |
2.1.3 小分子真空沉积成膜 | 第41-44页 |
2.1.4 金属电极真空热蒸镀 | 第44-46页 |
2.1.5 有机聚合物旋涂成膜 | 第46-47页 |
2.2 器件的光电性能与磁效应的测量 | 第47-49页 |
2.2.1 器件光电性能的表征量 | 第47-48页 |
2.2.2 器件磁效应的测量 | 第48-49页 |
第3章 有机/金属界面修饰调控e-h对自旋混合及磁效应 | 第49-63页 |
3.1 引言 | 第49-50页 |
3.2 实验 | 第50-51页 |
3.3 结果与讨论 | 第51-61页 |
3.3.1 磁效应曲线 | 第51-52页 |
3.3.2 MEL高场下降 | 第52-53页 |
3.3.3 MEL高场下降机制 | 第53-55页 |
3.3.4 HFE_(MEL)与电流密度 | 第55-56页 |
3.3.5 MEL与功能层厚度 | 第56-57页 |
3.3.6 MEL与电极蒸镀方式 | 第57-59页 |
3.3.7 Cu-OLED的HFE | 第59-60页 |
3.3.8 Al电极器件的HFE | 第60-61页 |
3.4 本章小结 | 第61-63页 |
第4章 利用红荧烯激子能量共振分析三重态激子与载流子自旋混合的磁电导机制 | 第63-73页 |
4.1 引言 | 第63-64页 |
4.2 器件结构与制备 | 第64页 |
4.3 结果与讨论 | 第64-71页 |
4.3.1 MEL和MC | 第64-66页 |
4.3.2 归一化EL谱和I-V特征曲线 | 第66-67页 |
4.3.3 不同通道TCI可能产生的MC符号 | 第67-68页 |
4.3.4 不同温度和电流下Al电极器件磁效应 | 第68-69页 |
4.3.5 不同温度和电流下LiF/Al电极器件磁效应 | 第69-71页 |
4.4 分析与讨论 | 第71-72页 |
4.5 本章小结 | 第72-73页 |
第5章 陷阱辅助的e-h对自旋混合过程的MC和MEL特征 | 第73-93页 |
5.1 引言 | 第73页 |
5.2 陷阱协助的三重态e-h对和极化子作用的MC特征 | 第73-85页 |
5.2.1 器件的制备与测量 | 第75页 |
5.2.2 EL光谱 | 第75-77页 |
5.2.3 电流-电压特征曲线 | 第77-78页 |
5.2.4 低温下的MEL和MC曲线 | 第78-81页 |
5.2.5 用Lorentzian函数拟合MC | 第81-84页 |
5.2.6 对实验结果的总结与讨论 | 第84-85页 |
5.3 陷阱协助的激子型e-h对自旋混合的MEL特征 | 第85-92页 |
5.3.1 SY-PPV:Fe_3O_4器件的制备与测量 | 第85-87页 |
5.3.2 EL光谱 | 第87页 |
5.3.3 MEL曲线 | 第87-88页 |
5.3.4 EL光谱老化处理前后对比 | 第88-90页 |
5.3.5 电流-发光-电压特征曲线 | 第90-91页 |
5.3.6 AFM图像 | 第91-92页 |
5.3.7 对实验结果的总结与讨论 | 第92页 |
5.4 本章小结 | 第92-93页 |
第6章 分子间距对激子型e-h对自旋混合的方向的调控 | 第93-105页 |
6.1 引言 | 第93-94页 |
6.2 器件的制备与测量 | 第94-95页 |
6.3 客体分子平均分子间距d的计算 | 第95-96页 |
6.4 实验结果 | 第96-99页 |
6.4.1 EL谱线分析 | 第96-97页 |
6.4.2 Rubrene掺杂型OLED的MEL随d的响应 | 第97-99页 |
6.5 利用MEL的高场变化评估d值对SF→TF的影响 | 第99-103页 |
6.5.1 HFE的定义 | 第99-100页 |
6.5.2 HFE作为d的函数 | 第100-101页 |
6.5.3 利用电流效率随d的变化来评估SF→TF过程 | 第101-102页 |
6.5.4 变化电流密度和温度下的HFE | 第102-103页 |
6.6 分子间距调控SF→TF的微观模型 | 第103-104页 |
6.7 本章小结 | 第104-105页 |
第7章 总结与展望 | 第105-107页 |
参考文献 | 第107-135页 |
致谢 | 第135-137页 |
攻读博士学位期间的科研情况 | 第137-139页 |