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有机电致发光器件中电子—空穴对的自旋混合过程及磁效应分析

摘要第7-11页
Abstract第11-16页
第1章 绪论第17-39页
    1.1 有机半导体材料第17-18页
        1.1.1 共轭的π键结构第17页
        1.1.2 杂化轨道与能带模型第17-18页
    1.2 有机电致发光器件第18-23页
        1.2.1 研究历程第19-20页
        1.2.2 器件结构与光化学机理第20-21页
        1.2.3 电子-空穴对的分类第21-22页
        1.2.4 电子-空穴对的自旋选择定则第22-23页
    1.3 有机磁效应第23-24页
    1.4 e-h对的自旋混合及磁效应第24-33页
        1.4.1 超精细相互作用第24-28页
        1.4.2 朗德g因子模型第28页
        1.4.3 自旋轨道耦合第28-29页
        1.4.4 陷阱机制第29-30页
        1.4.5 三重态-电荷相互作用第30-31页
        1.4.6 三重态激子聚变与单重态激子分裂第31-33页
    1.5 论文的选题背景与意义、研究目的、研究思路与内容第33-39页
        1.5.1 论文的选题背景与意义第33页
        1.5.2 论文的研究目的和思路第33-34页
        1.5.3 研究内容第34-39页
第2章 有机电致发光器件的制备及其磁效应的测量第39-49页
    2.1 有机电致发光器件的制备技术第39-47页
        2.1.1 基片的清洗与前期准备第39-41页
        2.1.2 基片微波臭氧处理第41页
        2.1.3 小分子真空沉积成膜第41-44页
        2.1.4 金属电极真空热蒸镀第44-46页
        2.1.5 有机聚合物旋涂成膜第46-47页
    2.2 器件的光电性能与磁效应的测量第47-49页
        2.2.1 器件光电性能的表征量第47-48页
        2.2.2 器件磁效应的测量第48-49页
第3章 有机/金属界面修饰调控e-h对自旋混合及磁效应第49-63页
    3.1 引言第49-50页
    3.2 实验第50-51页
    3.3 结果与讨论第51-61页
        3.3.1 磁效应曲线第51-52页
        3.3.2 MEL高场下降第52-53页
        3.3.3 MEL高场下降机制第53-55页
        3.3.4 HFE_(MEL)与电流密度第55-56页
        3.3.5 MEL与功能层厚度第56-57页
        3.3.6 MEL与电极蒸镀方式第57-59页
        3.3.7 Cu-OLED的HFE第59-60页
        3.3.8 Al电极器件的HFE第60-61页
    3.4 本章小结第61-63页
第4章 利用红荧烯激子能量共振分析三重态激子与载流子自旋混合的磁电导机制第63-73页
    4.1 引言第63-64页
    4.2 器件结构与制备第64页
    4.3 结果与讨论第64-71页
        4.3.1 MEL和MC第64-66页
        4.3.2 归一化EL谱和I-V特征曲线第66-67页
        4.3.3 不同通道TCI可能产生的MC符号第67-68页
        4.3.4 不同温度和电流下Al电极器件磁效应第68-69页
        4.3.5 不同温度和电流下LiF/Al电极器件磁效应第69-71页
    4.4 分析与讨论第71-72页
    4.5 本章小结第72-73页
第5章 陷阱辅助的e-h对自旋混合过程的MC和MEL特征第73-93页
    5.1 引言第73页
    5.2 陷阱协助的三重态e-h对和极化子作用的MC特征第73-85页
        5.2.1 器件的制备与测量第75页
        5.2.2 EL光谱第75-77页
        5.2.3 电流-电压特征曲线第77-78页
        5.2.4 低温下的MEL和MC曲线第78-81页
        5.2.5 用Lorentzian函数拟合MC第81-84页
        5.2.6 对实验结果的总结与讨论第84-85页
    5.3 陷阱协助的激子型e-h对自旋混合的MEL特征第85-92页
        5.3.1 SY-PPV:Fe_3O_4器件的制备与测量第85-87页
        5.3.2 EL光谱第87页
        5.3.3 MEL曲线第87-88页
        5.3.4 EL光谱老化处理前后对比第88-90页
        5.3.5 电流-发光-电压特征曲线第90-91页
        5.3.6 AFM图像第91-92页
        5.3.7 对实验结果的总结与讨论第92页
    5.4 本章小结第92-93页
第6章 分子间距对激子型e-h对自旋混合的方向的调控第93-105页
    6.1 引言第93-94页
    6.2 器件的制备与测量第94-95页
    6.3 客体分子平均分子间距d的计算第95-96页
    6.4 实验结果第96-99页
        6.4.1 EL谱线分析第96-97页
        6.4.2 Rubrene掺杂型OLED的MEL随d的响应第97-99页
    6.5 利用MEL的高场变化评估d值对SF→TF的影响第99-103页
        6.5.1 HFE的定义第99-100页
        6.5.2 HFE作为d的函数第100-101页
        6.5.3 利用电流效率随d的变化来评估SF→TF过程第101-102页
        6.5.4 变化电流密度和温度下的HFE第102-103页
    6.6 分子间距调控SF→TF的微观模型第103-104页
    6.7 本章小结第104-105页
第7章 总结与展望第105-107页
参考文献第107-135页
致谢第135-137页
攻读博士学位期间的科研情况第137-139页

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