| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 厚膜SOI-LIGBT器件概述 | 第9-13页 |
| 1.1.1 厚膜SOI技术的特点和优势 | 第9-11页 |
| 1.1.2 厚膜SOI-LIGBT器件的发展 | 第11-13页 |
| 1.2 厚膜SOI-LIGBT器件热载流子效应及研究现状 | 第13-15页 |
| 1.3 SOI-LIGBT器件热载流子退化表征分析方法 | 第15-19页 |
| 1.4 本文研究目标及组织结构 | 第19-21页 |
| 第二章 550V厚膜SOI-LIGBT器件最坏应力及热载流子退化机理研究 | 第21-37页 |
| 2.1 550V厚膜SOI-LIGBT器件基本特性 | 第21-23页 |
| 2.1.1 550V厚膜SOI-LIGBT器件结构和原理 | 第21-22页 |
| 2.1.2 550V厚膜SOI-LIGBT器件关断特性 | 第22-23页 |
| 2.2 550V厚膜SOI-LIGBT器件最坏应力条件研究 | 第23-27页 |
| 2.3 550V厚膜SOI-LIGBT器件最坏应力条件下的热载流子退化机理 | 第27-31页 |
| 2.4 阳极电压对550V厚膜SOI-LIGBT器件热载流子退化的影响 | 第31-35页 |
| 2.5 本章小结 | 第35-37页 |
| 第三章 结构参数对550V厚膜SOI-LIGBT器件热载流子退化影响研究 | 第37-53页 |
| 3.1 沟道长度对厚膜SOI-LIGBT器件热载流子退化的影响 | 第37-39页 |
| 3.2 积累区长度对厚膜SOI-LIGBT器件热载流子退化的影响 | 第39-41页 |
| 3.3 N-buffer长度对厚膜SOI-LIGBT器件热载流子退化的影响 | 第41-45页 |
| 3.4 高热载流子可靠性厚膜SOI-LIGBT器件新结构研究 | 第45-52页 |
| 3.4.1 降低关断时间新结构的热载流子退化研究 | 第45-49页 |
| 3.4.2 沟道电场屏蔽结构的热载流子退化研究 | 第49-52页 |
| 3.5 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 550V厚膜SOI-LIGBT器件热载流子退化寿命模型研究 | 第53-65页 |
| 4.1 厚膜SOI-LIGBT器件热载流子退化寿命建模方案 | 第53-55页 |
| 4.2 厚膜SOI-LIGBT器件热载流子退化寿命模型建立 | 第55-62页 |
| 4.2.1 厚膜SOI-LIGBT器件开态应力阶段热载流子退化寿命模型建立 | 第55-56页 |
| 4.2.2 厚膜SOI-LIGBT器件关态应力阶段热载流子退化寿命模型建立 | 第56-59页 |
| 4.2.3 厚膜SOI-LIGBT器件开关转换阶段热载流子退化寿命模型建立 | 第59-62页 |
| 4.3 厚膜SOI-LIGBT器件寿命模型参数提取及验证 | 第62-64页 |
| 4.3.1 饱和电流寿命模型参数的提取及模型的验证 | 第62-63页 |
| 4.3.2 阈值电压寿命模型参数的提取及模型的验证 | 第63-64页 |
| 4.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 总结与展望 | 第65-69页 |
| 5.1 总结 | 第65-67页 |
| 5.2 展望 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 硕士期间取得成果 | 第75页 |
