当前位置：
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
掺杂SiC薄膜的制备及性能研究
β-FeSi2基热电材料的制备与性能研究
ZnO薄膜的制备与性能分析
微纳结构镍薄膜的制备与超快电子动力学研究
化学增幅光刻胶及其在电子束光刻中的应用
0.8μm SOI/CMOS SPICE器件模型参数提取
新型TFT器件的模拟研究--Halo LDD多晶硅TFT的性质研究
多晶硅薄膜晶体管可靠性研究及其模拟
基于应变硅技术的半导体器件的应力分析
有机光电器件--有机小分子电致发光器件的电极界面修饰
SOI薄膜（FD）器件模拟技术—深亚微米全耗尽SOIMOSFET阈值电压模型及新器件结构的研究
IGBT的电热学特性的研究
多晶硅薄膜晶体管自加热效应和KINK效应的模拟技术研究
机械合金化制备Fe掺杂氧化物稀磁半导体
喹啉锌类有机电致发光材料、器件的制备及光电性能研究
半导体纳米结构中超快太赫兹光谱与非线性光学特性研究
基于多孔硅的三维PN结结构探索
半导体氧化锌的制备、光学及场发射特性的研究
新型微纳光电探测器模型及其特性分析
高压MOSFET Ⅰ-Ⅴ特性宏模型的建立与研究
Fe、Cu共掺杂In2O3稀释磁性半导体的结构和室温铁磁性研究
溶胶凝胶法制备In2O3基稀释磁性半导体及其性质的研究
新型椭圆管LED的结构设计与仿真研究
硅基半导体中微观缺陷和电子结构对材料光电性能的影响
稀土-IV-VI族稀磁半导体材料的合成与La-Cu-Sn合金相图研究
掺锗直拉硅中的杂质缺陷及其光伏应用研究
快速热处理对直拉单晶硅中氧沉淀和内吸杂的影响
有机发光二极管（OLED）及其他层状纳米结构的发光性质与设计研究
基于表面等离子体及半导体准一维纳米结构的光子器件研究
大功率LED可靠性预测机制研究
空位对直拉硅单晶中氧沉淀形核的作用
新型AgNiSnO2材料的制备与性能研究
PLD（脉冲激光沉积法）制备ZnO基稀磁半导体薄膜及其性能研究
普通和掺氮的重掺砷直拉硅单晶的氧沉淀行为
Mg2Si基半导体的制备及其热电性能研究
直拉硅单晶中氧沉淀的熟化
MOCVD法可控生长磷掺杂ZnO量子点及其性能研究
可见光响应半导体光催化剂的制备及其性能研究
LED的二次配光设计
光学薄膜应力的研究
非成像光学系统设计方法及其在LED道路照明工程中的应用
异质结双极晶体管HBT单边增益研究
高压高效率白光LED驱动电路的研究与设计
大功率LED封装散热性能的若干问题研究
多孔硅薄膜的制备工艺与微观结构分析
EMCCD与USB的整合
大功率LED脉冲驱动电源技术的研究
金属—铁电—绝缘层—半导体（MFIS）结构器件电学性能模拟
SOI器件及铁电存储器特性研究
典型Ⅲ族氮化物半导体材料第一性原理研究
上一页
[167]
[168]
[169]
[170]
[171]
下一页
