| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-16页 |
| ·论文研究背景 | 第12-14页 |
| ·研究方法与工具 | 第14页 |
| ·APSYS软件与器件建模 | 第14页 |
| ·仿真步骤 | 第14页 |
| ·本文的工作 | 第14-16页 |
| 第二章 甚长波AlGaAs/GaAs和InGaAs/GaAs量子阱红外探测器性能分析与仿真 | 第16-32页 |
| ·一维量子阱结构传输矩阵法(TMM)计算能级 | 第16-18页 |
| ·Al_xGa_(1-x)As/GaAs与In_xGa_(1-x)As/GaAs QWIP能级与响应波长 | 第18-20页 |
| ·Al_xGa_(1-x)As/GaAs QWIP能级的与响应波长计算 | 第18-19页 |
| ·In_xGa_(1-x)As/GaAs QWIP的能级与响应波长计算 | 第19页 |
| ·两种材料QWIP的响应波长比较 | 第19-20页 |
| ·甚长波AlGaAs/GaAs与InGaAs/GaAs QWIPs光吸收仿真 | 第20-23页 |
| ·吸收机理 | 第20-21页 |
| ·APSYS软件仿真对比光吸收波 | 第21-23页 |
| ·Al_xGa_(1-x)As/GaAs QWIP光吸收 | 第21页 |
| ·In_xGa_(1-x)As/GaAs QWIP光吸收 | 第21-22页 |
| ·两种QWIP吸收波比较 | 第22-23页 |
| ·QWIP器件的性能 | 第23-26页 |
| ·光电流与光电导增益 | 第23页 |
| ·量子效率与响应率 | 第23-24页 |
| ·载流子计算 | 第24-26页 |
| ·Al_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs与In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs甚长波QWIP | 第26-29页 |
| ·物理模型 | 第26-27页 |
| ·等效电路 | 第27页 |
| ·样品与仿真 | 第27-29页 |
| ·太赫兹(Terahertz)QWIP | 第29-31页 |
| ·小结 | 第31-32页 |
| 第三章 雪崩光电探测器(APD)研究与仿真 | 第32-49页 |
| ·关于APD的参数 | 第32-36页 |
| ·阈值理化能 | 第32-33页 |
| ·电子和空穴的碰撞离化率 | 第33-34页 |
| ·响应度和雪崩倍增因子 | 第34页 |
| ·雪崩过剩噪声 | 第34-35页 |
| ·暗电流 | 第35页 |
| ·电场分布 | 第35-36页 |
| ·InGaAsP/InP异质结电荷层结构的SACM-APD分析 | 第36-42页 |
| ·SACM-APD结构设计 | 第36-37页 |
| ·仿真与分析 | 第37-42页 |
| ·载流子连续方程 | 第37-38页 |
| ·电场分析 | 第38页 |
| ·暗电流与光电流 | 第38-41页 |
| ·脉冲电流响应 | 第41-42页 |
| ·SACM结构与SAGCM结构InGaAs/InP APD分析 | 第42-46页 |
| ·SACM-APD与SGACM-APD的结构 | 第42-43页 |
| ·APSYS仿真与比较 | 第43-46页 |
| ·暗电流 | 第43-44页 |
| ·SAGCM-APD电场分布 | 第44-45页 |
| ·光脉冲响应与倍增因子计算 | 第45-46页 |
| ·低击穿电压、高增益的SAGCM-APD | 第46-47页 |
| ·小结 | 第47-49页 |
| 第四章 共振腔增强光电探测器(RCE-PD)研究 | 第49-64页 |
| ·RCE-PD原理与相关参数 | 第49-55页 |
| ·RCE-PD量子效率 | 第50-52页 |
| ·驻波增强因子 | 第52页 |
| ·量子效率谱峰值半高宽 | 第52-53页 |
| ·RCE-PD探测率 | 第53页 |
| ·RCE设计 | 第53-55页 |
| ·DBR在RCE的应用 | 第55-58页 |
| ·DBR的反射率理论 | 第55-56页 |
| ·DBR要求与材料选择 | 第56-57页 |
| ·GaAs/AlAs DBR设计 | 第57-58页 |
| ·设计波长与折射率及单层厚度 | 第57-58页 |
| ·DBR对数的影响 | 第58页 |
| ·RCE-PD时间响应的寄生效应 | 第58-63页 |
| ·RCE-PD固有时间响应 | 第59页 |
| ·RCE-PIN-PD中寄生效应对响应时间的影响 | 第59-63页 |
| ·负载电阻和器件寄生电容的影响 | 第60-62页 |
| ·RCE-PIN-PD带宽与吸收层厚度的关系 | 第62页 |
| ·电感对器件时间响应的影响 | 第62-63页 |
| ·小结 | 第63-64页 |
| 第五章 结论 | 第64-66页 |
| ·总结 | 第64-65页 |
| ·需要进一步解决的问题 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-72页 |
| 附录 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第72-73页 |
| 后记 | 第73页 |
