| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-18页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·TFT的发展历史和研究现状 | 第8-11页 |
| ·TFT的工作原理和器件结构 | 第11-16页 |
| ·TFT的工作原理 | 第11-12页 |
| ·P-Si TFT的常见结构 | 第12-15页 |
| ·P-Si TFT的优势及新结构的提出 | 第15-16页 |
| ·本文的主要研究内容及其意义 | 第16-18页 |
| 第二章 P-Si TFT的关键制造工艺 | 第18-30页 |
| ·多晶硅薄膜的制备技术 | 第18-21页 |
| ·直接淀积多晶硅 | 第18-19页 |
| ·再结晶形成多晶硅 | 第19-20页 |
| ·下一代多晶硅制备技术 | 第20-21页 |
| ·栅绝缘层的形成 | 第21-27页 |
| ·栅氧化层的特性 | 第21-22页 |
| ·栅氧化层的制备技术 | 第22-23页 |
| ·栅氧化层的可靠性与失效分析实验 | 第23-27页 |
| ·掺杂与激活 | 第27-29页 |
| ·Halo LDD P-Si TFT的工艺流程 | 第29页 |
| ·小结 | 第29-30页 |
| 第三章 Halo LDD P-Si TFT阈值电压的研究 | 第30-42页 |
| ·P-Si TFT的表面势模型 | 第30-32页 |
| ·短沟效应对P-Si TFT阈值电压的影响 | 第30-31页 |
| ·表面势模型 | 第31-32页 |
| ·TFT阈值电压的求解 | 第32-33页 |
| ·Halo LDD结构对阈值电压下降及漂移的抑制作用 | 第33-38页 |
| ·器件结构与陷阱模型 | 第33-36页 |
| ·Halo LDD结构对阈值电压的影响 | 第36-38页 |
| ·Halo结构的工艺参数对阈值电压的影响 | 第38-41页 |
| ·小结 | 第41-42页 |
| 第四章 Halo LDD P-Si TFT I-V特性的研究 | 第42-59页 |
| ·P-Si薄膜的晶界模型 | 第42-46页 |
| ·多晶硅薄膜的结构特点 | 第42-43页 |
| ·晶界模型对多晶硅电学参数的影响 | 第43-46页 |
| ·Halo LDD P-Si TFT的漏电流模型 | 第46-49页 |
| ·Halo LDD结构P-Si TFT I-V特性的模拟分析 | 第49-51页 |
| ·Halo LDD结构对泄漏电流的抑制作用 | 第50页 |
| ·Halo LDD结构对kink效应的抑制作用 | 第50-51页 |
| ·Halo LDD结构工艺参数对器件I-V特性的影响 | 第51-58页 |
| ·LDD结构参数对器件I-V特性的影响 | 第51-53页 |
| ·Halo结构工艺参数对I-V特性的影响 | 第53-58页 |
| ·小结 | 第58-59页 |
| 第五章 Halo LDD P-Si TFT在液晶显示中的应用 | 第59-63页 |
| ·引言 | 第59页 |
| ·TFT LCD结构和工作原理 | 第59-60页 |
| ·像素单元等效电路 | 第60-62页 |
| ·选通状态 | 第61页 |
| ·截止状态 | 第61-62页 |
| ·TFT LCD技术的新进展 | 第62-63页 |
| 第六章 总结与展望 | 第63-64页 |
| ·总结 | 第63页 |
| ·展望 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 附录: 作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第69页 |
