| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-18页 |
| ·多晶硅薄膜晶体管的发展及其应用 | 第7-12页 |
| ·多晶硅薄膜晶体管的结构 | 第12-14页 |
| ·多晶硅薄膜的制备 | 第14-17页 |
| ·本课题研究的意义 | 第17-18页 |
| 第二章 多晶硅TFT 的工艺模拟 | 第18-25页 |
| ·典型结构器件的建立 | 第18-19页 |
| ·LDD 结构器件的建立 | 第19-25页 |
| 第三章 自加热效应的计算机模拟 | 第25-47页 |
| ·自加热效应的温度模型 | 第27-29页 |
| ·温度对多晶硅TFT 性能的影响 | 第29-34页 |
| ·温度对多晶硅TFT 沟道迁移率的影响 | 第30-31页 |
| ·温度对多晶硅TFT 阈值电压的影响 | 第31-32页 |
| ·温度对多晶硅TFT 亚阈值斜率的影响 | 第32页 |
| ·温度对多晶硅TFT 泄漏电流的影响 | 第32-33页 |
| ·温度对漏端电流的影响 | 第33-34页 |
| ·陷阱密度对多晶硅薄膜晶体管自加热效应的影响 | 第34-37页 |
| ·LDD 结构对自加热效应的影响 | 第37-41页 |
| ·LDD 掺杂剂量对器件自加热效应的影响 | 第39-40页 |
| ·LDD 掺杂能量对器件自加热效应的影响 | 第40-41页 |
| ·LDD 掺杂长度对器件自加热效应的影响 | 第41页 |
| ·TFT 结构参数对自加热效应的影响 | 第41-46页 |
| ·栅氧厚度对自加热效应的影响 | 第42页 |
| ·沟道长度对自加热效应的影响 | 第42-43页 |
| ·沟道厚度对自加热效应的影响 | 第43-44页 |
| ·衬底层厚度和衬底材料对自加热效应的影响 | 第44-46页 |
| ·漏端电压对自加热效应的影响 | 第46页 |
| ·本章总结 | 第46-47页 |
| 第四章 KINK 效应的计算机模拟 | 第47-64页 |
| ·多晶硅KINK 效应对器件性能的影响 | 第49-52页 |
| ·KINK 效应对器件沟道电场分布的影响 | 第49-52页 |
| ·KINK 效应对漏极电导g 的影响 | 第52页 |
| ·陷阱密度对多晶硅薄膜晶体管KINK 效应的影响 | 第52-55页 |
| ·温度对多晶硅薄膜晶体管KINK 效应的影响 | 第55-56页 |
| ·栅极电压对多晶硅薄膜晶体管KNIK 效应的影响 | 第56-57页 |
| ·LDD 结构对多晶硅薄膜晶体管KINK 效应的影响 | 第57-63页 |
| ·LDD 掺杂剂量对KINK 效应的影响 | 第58-61页 |
| ·LDD 掺杂能量对KINK 效应的影响 | 第61-62页 |
| ·掺杂长度对KINK 效应的影响 | 第62-63页 |
| ·本章总结 | 第63-64页 |
| 第五章 未来展望 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 附录：作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第69页 |