| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-17页 |
| ·薄膜晶体管的发展 | 第8-9页 |
| ·薄膜晶体管的结构、工作原理 | 第9-14页 |
| ·薄膜晶体管的结构 | 第9-12页 |
| ·薄膜晶体管的工作原理 | 第12-14页 |
| ·多晶硅薄膜晶体管的应用 | 第14-15页 |
| ·多晶硅薄膜晶体管的热载流子效应及本文研究的意义 | 第15-17页 |
| 第二章 模拟工具与方法 | 第17-22页 |
| ·模拟工具介绍 | 第17-19页 |
| ·Tsuprem4 简介 | 第17-18页 |
| ·Medici 简介 | 第18-19页 |
| ·模型的选择 | 第19-21页 |
| ·Medici 模拟时模型的选择 | 第20页 |
| ·晶界中陷阱模型的选择 | 第20-21页 |
| ·本章小结 | 第21-22页 |
| 第三章 多晶硅薄膜晶体管的可靠性分析及其模拟 | 第22-43页 |
| ·前言 | 第22页 |
| ·多晶硅薄膜层中陷阱密度对热载流子效应的影响 | 第22-31页 |
| ·多晶硅陷阱模型中陷阱密度最小值对热载流子效应的影响 | 第24-27页 |
| ·多晶硅陷阱模型中陷阱密度最大值对热载流子效应的影响 | 第27-31页 |
| ·热载流子效应的物理模型 | 第31-38页 |
| ·热载流子注入栅氧层中的退化 | 第32-33页 |
| ·热载流子的注入机制 | 第33-36页 |
| ·氧化层和界面陷阱 | 第36页 |
| ·界面态的产生和热载流子退化的Si-H 断裂模型 | 第36-38页 |
| ·热载流子效应的模拟研究 | 第38-41页 |
| ·模拟方法及器件的参数 | 第38页 |
| ·模拟结果 | 第38-41页 |
| ·提高多晶硅薄膜晶体管抗热载流子效应的措施 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 源漏扩展结构多晶硅薄膜晶体管可靠性的研究 | 第43-62页 |
| ·LDD 多晶硅薄膜晶体管 | 第43页 |
| ·LDD 多晶硅薄膜晶体管对热载流子效应的改善 | 第43-45页 |
| ·LDD 多晶硅薄膜晶体管的结构参数对可靠性的影响 | 第45-53页 |
| ·LDD 多晶硅薄膜晶体管存在的不足 | 第46-47页 |
| ·LDD 多晶硅薄膜晶体管栅氧层厚度对热载流子效应的影响 | 第47-49页 |
| ·源漏扩展区掺杂浓度对多晶硅薄膜晶体管产生界面态的影响 | 第49-52页 |
| ·提高源漏扩展区掺杂浓度对多晶硅薄膜晶体管性能的改善 | 第52-53页 |
| ·不同掺杂浓度源漏扩展结构多晶硅薄膜晶体管的热载流子退化 | 第53-60页 |
| ·界面态产生位于区域A 时掺杂浓度不同时器件热载流子退化特性的研究 | 第53-56页 |
| ·界面态产生位于区域B 时掺杂浓度不同时器件热载流子退化特性的研究 | 第56-58页 |
| ·掺杂浓度相同时界面态产生不同区域器件热载流子退化特性的研究 | 第58-60页 |
| ·源漏扩展结构多晶硅薄膜晶体管热载流子退化的简单模型 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 结束语 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 附录：作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第67页 |
