| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 前言 | 第8-15页 |
| ·常用的半导体光电探测器材料 | 第8-9页 |
| ·有机半导体材料和器件 | 第9-10页 |
| ·PTCDA/p-Si光电探测器国内国际发展现状 | 第10-11页 |
| ·PTCDA/p-Si光电探测器国内发展现状 | 第10-11页 |
| ·PTCDA/p-Si光电探测器国际发展现状 | 第11页 |
| ·PTCDA/p-Si探测器的应用与前景 | 第11-12页 |
| ·本论文研究的背景和意义 | 第12-14页 |
| ·本论文课题的主要研究内容和研究方法、研究目的 | 第14-15页 |
| 第二章 PTCDA材料的制备和性能研究 | 第15-46页 |
| ·PTCDA的性质 | 第15-19页 |
| ·PTCDA的基本性质 | 第15-16页 |
| ·PTCDA的晶体结构 | 第16-18页 |
| ·PTCDA的几何结构和分子轨道描述 | 第18-19页 |
| ·PTCDA电学及光学性质 | 第19-23页 |
| ·光学性质 | 第19-20页 |
| ·电学性质 | 第20-23页 |
| ·PTCDA材料的制备 | 第23-24页 |
| ·PTCDA材料的合成 | 第23-24页 |
| ·PTCDA的提纯 | 第24-28页 |
| ·PTCDA的提纯方法 | 第24-26页 |
| ·PTCDA的纯度鉴定 | 第26-28页 |
| ·PTCDA样品的性能表征 | 第28-32页 |
| ·PTCDA样品性能的测量 | 第28-32页 |
| ·PTCDA的结构表征 | 第32-35页 |
| ·PTCDA在p-Si衬底上的生长研究 | 第35-45页 |
| ·实验装置及测试原理 | 第35-36页 |
| ·样品制备过程 | 第36-39页 |
| ·PTCDA/p-Si表面形貌的AFM研究 | 第39-40页 |
| ·PTCDA分子结构影响的XRD分析 | 第40-43页 |
| ·PTCDA分子的Raman分析 | 第43-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第三章 PTCDA/p-Si异质结的形成原理 | 第46-56页 |
| ·PTCDA与衬底形成异质结的基本性质 | 第46-48页 |
| ·衬底材料的选取 | 第46-48页 |
| ·PTCDA/P-Si异质结势垒 | 第48-55页 |
| ·PTCDA/P-Si异质结势垒的形成 | 第48-51页 |
| ·PTCDA/p-Si异质结在非平衡状态的能带结构 | 第51-53页 |
| ·PTCDA/p-Si势垒的I-V特性 | 第53-54页 |
| ·PTCDA/p-Si势垒的C-V特性 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第四章 PTCDA/p-Si光电探测器的制备 | 第56-69页 |
| ·两种结构PTCDA/p-Si光电探测器的制备 | 第56-58页 |
| ·ITO/PTCDA/p-Si/Al结构光电探测器的制备 | 第56-57页 |
| ·Al/Ni/ITO/PTCDA/p-Si/Al光电探测器的制备 | 第57-58页 |
| ·射频磁控溅射ITO薄膜及ITO薄膜特性 | 第58-61页 |
| ·ITO薄膜特性简介 | 第58-59页 |
| ·ITO薄膜的制备 | 第59-61页 |
| ·实验装置及测试原理 | 第61-67页 |
| ·真空溅射试验原理和装置简介 | 第61-67页 |
| ·直流溅射Ni/Al电极的研究 | 第67-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 第五章 PTCDA/p-Si光电探测器的性能测试及分析 | 第69-77页 |
| ·探测器的电学特性 | 第69-76页 |
| ·探测器的光电流与暗电流特性 | 第69-70页 |
| ·PTCDA/p-Si光电探测器的电极研究 | 第70-71页 |
| ·Al/ITO/PTCDA/p-Si/Al结构探测器的特性 | 第71-76页 |
| ·本章小结 | 第76-77页 |
| 第六章 结论 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-81页 |
| 致谢 | 第81页 |
