基于LDMOS电容特性的研究及其器件建模
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| ·引言 | 第9-11页 |
| ·LDMOS器件的结构和特点 | 第11-15页 |
| ·LDMOS器件与传统MOS管的比较 | 第11-12页 |
| ·器件的小尺寸效应 | 第12-13页 |
| ·器件的SOI技术 | 第13-14页 |
| ·器件的温度特性 | 第14-15页 |
| ·LDMOS在实际领域中的应用 | 第15-16页 |
| ·LDMOS在移动通信领域的应用 | 第15-16页 |
| ·LDMOS在其它领域的应用 | 第16页 |
| ·本文的主要工作 | 第16-18页 |
| 第二章 高压LDMOS的结构参数设计 | 第18-33页 |
| ·器件结构设计 | 第18-19页 |
| ·PN结击穿机理 | 第19-20页 |
| ·漂移区参数设计 | 第20-30页 |
| ·漂移区长度 | 第21-22页 |
| ·漂移区浓度和结深 | 第22-28页 |
| ·场板长度 | 第28-30页 |
| ·栅极及沟道参数设计 | 第30-32页 |
| ·阈值电压及沟道浓度设计 | 第30-31页 |
| ·沟道长度的设计 | 第31页 |
| ·栅氧厚度的设计 | 第31-32页 |
| ·最终确定的结构参数 | 第32页 |
| ·小结 | 第32-33页 |
| 第三章 LDMOS栅漏与栅源电容特性的研究 | 第33-47页 |
| ·LDMOS与普通MOS电容之间的比较 | 第33-35页 |
| ·LDMOS寄生电容模型 | 第35-42页 |
| ·栅源寄生电容 | 第35-40页 |
| ·栅漏寄生电容 | 第40-42页 |
| ·器件的结构和工艺参数对栅漏电容的的影响 | 第42-46页 |
| ·漂移区注入剂量对栅漏电容的影响 | 第43页 |
| ·沟道浓度对栅漏电容的影响 | 第43-44页 |
| ·场极板长度对栅漏电容的影响 | 第44-45页 |
| ·场氧厚度对栅漏电容的影响 | 第45-46页 |
| ·结论 | 第46-47页 |
| 第四章 高压LDMOS器件的宏模型 | 第47-57页 |
| ·高压LDMOS的SPICE模型 | 第47-53页 |
| ·等效电路宏模型 | 第47-49页 |
| ·子电路宏模型 | 第49页 |
| ·直流电流宏模型 | 第49-50页 |
| ·寄生电容宏模型 | 第50-52页 |
| ·寄生二极管宏模型 | 第52-53页 |
| ·模型的验证 | 第53-56页 |
| ·SPICE中基本语法结构 | 第53-54页 |
| ·SPICE库的建立和瞬态特性测试 | 第54-55页 |
| ·IV特性测试 | 第55-56页 |
| ·小结 | 第56-57页 |
| 第五章 结束语 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第65页 |
