考虑源漏电场的准二维MOSFET阈值电压模型
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| ·MOS器件的发展 | 第9-10页 |
| ·MOS器件的发展趋势及问题 | 第10-13页 |
| ·MOS器件的发展趋势 | 第10-11页 |
| ·MOS器件面临的问题 | 第11-13页 |
| ·半导体器件主要研究方法 | 第13-15页 |
| ·本文主要工作 | 第15-17页 |
| 第二章 MOS阈值电压理论及小尺寸物理效应 | 第17-27页 |
| ·MOS器件的阈值电压理论 | 第17-20页 |
| ·耗尽层变化 | 第17-18页 |
| ·普通MOS器件的闽值电压理论 | 第18-20页 |
| ·小尺寸MOS器件物理效应 | 第20-25页 |
| ·短沟道效应 | 第20-22页 |
| ·窄沟道效应 | 第22-23页 |
| ·热载流子效应 | 第23-24页 |
| ·热电子效应 | 第24页 |
| ·弹道输运 | 第24-25页 |
| ·SOI MOS器件 | 第25页 |
| ·本章小结 | 第25-27页 |
| 第三章 考虑源漏电场的准二维MOS阈值电压建模 | 第27-42页 |
| ·经典长沟道MOSFET阈值电压 | 第28-31页 |
| ·平带电压 | 第28-29页 |
| ·耗尽层厚度和表面势 | 第29-30页 |
| ·阈值电压 | 第30-31页 |
| ·突变结空间电荷区电场和宽度 | 第31-34页 |
| ·突变结空间电荷区电场 | 第31-33页 |
| ·突变结空间电荷区宽度 | 第33-34页 |
| ·考虑源漏电场的MOSFET阈值电压 | 第34-39页 |
| ·方程建立 | 第34-36页 |
| ·源、漏结电场求解 | 第36-37页 |
| ·表面势求解 | 第37-39页 |
| ·阈值电压表达式 | 第39-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 仿真与理论计算 | 第42-52页 |
| ·拟合参数α的确定 | 第42-44页 |
| ·MEDICI仿真与理论计算 | 第44-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 总结 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第59页 |
