| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-19页 |
| ·LED的发展概况 | 第7-9页 |
| ·LED的基本原理 | 第9-10页 |
| ·LED的基本结构 | 第10-13页 |
| ·GaN基LED简介 | 第13-17页 |
| ·白光LED的研究概况 | 第17-18页 |
| ·本文主要研究内容 | 第18-19页 |
| 第二章 GaN基图形化衬底外延片生长和测试分析 | 第19-31页 |
| ·GaN图形化衬底的设计 | 第19-20页 |
| ·GaN图形化衬底制作 | 第20-22页 |
| ·MOCVD生长GaN外延片 | 第22-24页 |
| ·外延片性能测试的原理与方法 | 第24-25页 |
| ·外延片性能测试结果与分析 | 第25-31页 |
| 第三章 LED芯片的制作及性能分析 | 第31-49页 |
| ·芯片的设计 | 第31-34页 |
| ·芯片制作中的P型欧姆接触退火实验 | 第34-36页 |
| ·芯片制作中的n台阶刻蚀实验 | 第36-38页 |
| ·LED芯片制作的工艺流程 | 第38-45页 |
| ·LED芯片的性能检测与分析 | 第45-49页 |
| 结论 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-53页 |
| 致谢 | 第53页 |