纳米金刚石薄膜的制备与掺硼研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-24页 |
| ·纳米金刚石薄膜的研究背景 | 第10-14页 |
| ·纳米金刚石薄膜的特性 | 第10-11页 |
| ·纳米金刚石薄膜的应用 | 第11-14页 |
| ·纳米金刚石薄膜的研究概况 | 第14-18页 |
| ·纳米金刚石薄膜的主要制备方法 | 第14-16页 |
| ·MPCVD 法沉积纳米金刚石薄膜的机理 | 第16-18页 |
| ·纳米金刚石薄膜的掺杂机理及其研究进展 | 第18-22页 |
| ·掺杂纳米金刚石薄膜的特性 | 第18页 |
| ·不同掺杂元素和掺杂类型的研究 | 第18-21页 |
| ·掺杂纳米金刚石薄膜的应用 | 第21-22页 |
| ·本论文的研究内容及意义 | 第22-24页 |
| 第2章 实验装置及表征方法 | 第24-34页 |
| ·纳米金刚石薄膜的制备装置 | 第24-28页 |
| ·纳米金刚石薄膜掺硼的装置 | 第28-30页 |
| ·样品的表征方法 | 第30-34页 |
| ·光学金相显微镜 | 第30-31页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第31页 |
| ·原子力显微镜 | 第31-32页 |
| ·激光拉曼光谱 | 第32-33页 |
| ·四探针电阻测试仪 | 第33-34页 |
| 第3章 大面积高平整度纳米金刚石薄膜的制备研究 | 第34-48页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·实验 | 第34-35页 |
| ·纳米金刚石薄膜的生长研究 | 第35-45页 |
| ·基片温度对纳米金刚石薄膜生长的影响 | 第35-38页 |
| ·微波功率和反应气压对纳米金刚石薄膜生长的影响 | 第38-41页 |
| ·碳源浓度对纳米金刚石薄膜生长的影响 | 第41-43页 |
| ·添加氧气对纳米金刚石薄膜生长的影响 | 第43-45页 |
| ·工艺优化后纳米金刚石薄膜的制备 | 第45-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第4章 纳米金刚石薄膜的掺硼研究 | 第48-60页 |
| ·引言 | 第48-50页 |
| ·实验 | 第50-51页 |
| ·硼掺杂对纳米金刚石薄膜表面性能的影响 | 第51-56页 |
| ·掺杂温度对表面性能的影响 | 第51-54页 |
| ·反应气压对表面性能的影响 | 第54页 |
| ·乙硼烷浓度对表面性能的影响 | 第54-56页 |
| ·硼掺杂对纳米金刚石薄膜电学性能的影响 | 第56-59页 |
| ·掺杂温度对薄膜电性能的影响 | 第56-57页 |
| ·反应气压对薄膜电性能的影响 | 第57-58页 |
| ·乙硼烷浓度对薄膜电性能的影响 | 第58-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第5章 全文总结 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-68页 |
| 致谢 | 第68页 |