| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| ·双栅MOSFET的介绍 | 第9-10页 |
| ·器件温度研究的意义 | 第10-11页 |
| ·器件热量的传递和温度的测量 | 第11页 |
| ·课题的主要研究内容 | 第11页 |
| ·本文的主要结构 | 第11-13页 |
| 第二章 双栅MOSFET的研究与发展 | 第13-20页 |
| ·双栅MOSFET的结构 | 第13-14页 |
| ·双栅MOSFET的特性 | 第14-15页 |
| ·双栅MOSFET的发展 | 第15-18页 |
| ·本章小节 | 第18-20页 |
| 第三章 薄膜双栅MOSFET的电流模型 | 第20-36页 |
| ·阈值电压 | 第20-26页 |
| ·亚阈值电流 | 第26-28页 |
| ·阈值电压附近的电流 | 第28-31页 |
| ·基于载流子对称双栅MOSFET解析模型 | 第31-34页 |
| ·本章小结 | 第34-36页 |
| 第四章 薄膜双栅MOSFET的仿真及温度特性的研究 | 第36-56页 |
| ·薄膜双栅MOSFET基本电学特性的仿真 | 第36-41页 |
| ·亚阈值区特性 | 第36-39页 |
| ·饱和区特性 | 第39-41页 |
| ·薄膜双栅MOSFET温度效应的研究 | 第41-54页 |
| ·阈值电压 | 第42-47页 |
| ·亚阈值电流 | 第47-50页 |
| ·饱和电流 | 第50-54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 第五章 总结与展望 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第63页 |