| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-37页 |
| ·背景介绍 | 第11-14页 |
| ·硅基光电子的关键技术 | 第14-19页 |
| ·硅基光波导设计及损耗控制 | 第14-16页 |
| ·硅基光电子器件的封装 | 第16-17页 |
| ·混合集成技术 | 第17-19页 |
| ·硅基微纳光机电系统技术(MOEMS/NOEMS) | 第19-22页 |
| ·硅基微光机电系统(MOEMS) | 第19-21页 |
| ·硅基纳米光机电系统(NOEMS) | 第21-22页 |
| ·关键硅基光电子器件 | 第22-27页 |
| ·MEMS(MOEMS)可调谐激光器 | 第22-25页 |
| ·全光逻辑门 | 第25-26页 |
| ·硅基调制器 | 第26-27页 |
| ·本论文的主要工作 | 第27-28页 |
| 参考文献 | 第28-37页 |
| 第二章 宽带MEMS外腔可调谐激光器的研究 | 第37-70页 |
| ·引言 | 第37-39页 |
| ·外腔激光器的调谐原理与理论模型 | 第39-44页 |
| ·外腔激光器的调谐原理 | 第39-40页 |
| ·外腔激光器的理论模型 | 第40-44页 |
| ·高耦合效率的MEMS外腔激光器的设计 | 第44-48页 |
| ·系统设计 | 第44-46页 |
| ·光路设计 | 第46-48页 |
| ·MEMS可调谐激光器制作工艺及流程 | 第48-58页 |
| ·制作工艺流程 | 第49-50页 |
| ·深硅刻蚀 | 第50-55页 |
| ·Au/Sn焊料层沉积的后端处理 | 第55-56页 |
| ·增益芯片的焊接 | 第56-58页 |
| ·测试结果与讨论 | 第58-65页 |
| ·耦合效率测试 | 第58-60页 |
| ·波长选择特性和光栅滤波效果测试 | 第60-62页 |
| ·可调激光器单模输出特性测试 | 第62-63页 |
| ·可调激光器耦合效率测试 | 第63-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 第三章 基于NEMS技术的纳米光功率探测器的研究 | 第70-94页 |
| ·引言 | 第70-71页 |
| ·光场梯度力的产生原理和计算方法 | 第71-74页 |
| ·产生原理阐述 | 第71-72页 |
| ·电场梯度力的计算 | 第72-74页 |
| ·NEMS光功率探测器的结构设计 | 第74-80页 |
| ·结构设计与原理 | 第74-76页 |
| ·参数优化和选择 | 第76-80页 |
| ·器件的加工工艺和流程开发 | 第80-85页 |
| ·测试与结果分析 | 第85-89页 |
| ·本章小结 | 第89-90页 |
| 参考文献 | 第90-94页 |
| 第四章 基于NEMS技术的硅基全光逻辑门的研究 | 第94-114页 |
| ·引言 | 第94-95页 |
| ·机械光场调制效应 | 第95-98页 |
| ·光场机械调制原理 | 第96-98页 |
| ·光场梯度力分析 | 第98页 |
| ·基于光场梯度力的全光逻辑门的设计 | 第98-103页 |
| ·全光逻辑门设计 | 第99-100页 |
| ·光场梯度力分析 | 第100-103页 |
| ·器件加工与封装 | 第103-107页 |
| ·测试与结果分析 | 第107-110页 |
| ·本章小结 | 第110-111页 |
| 参考文献 | 第111-114页 |
| 第五章 论文工作总结和展望 | 第114-117页 |
| ·论文工作总结 | 第114-115页 |
| ·进一步工作展望 | 第115-117页 |
| 缩写词索引 | 第117-119页 |
| 攻读学位期间发表和在修改的学术论文 | 第119-121页 |
| 致谢词 | 第121页 |